[发明专利]设备及设备制造方法有效
| 申请号： | 200880114556.6 | 申请日： | 2008-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN101849276A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 内海淳;后藤崇之;井手健介;高木秀树;船山正宏 | 申请（专利权）人： | 三菱重工业株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/02;H01L27/14;H01L31/02;B23K20/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的设备具备：第一基板，其主成分为二氧化硅；第二基板，其主成分为硅或化合物半导体或二氧化硅或氟化物的任一个；接合功能中间层，其配置于第一基板、和第二基板之间。第一基板通过经由接合功能中间层，使第一基板的溅射的第一表面、和第二基板的溅射的第二表面接触的常温接合，接合于第二基板。此时，接合功能中间层的材料与第一基板的主成分不同，与第二基板的主成分不同，选自氧化物或氟化物或氮化物中的具有光透过性的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 设备 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种设备，具有：第一基板，其主成分为二氧化硅，第二基板，其主成分为硅、化合物半导体、二氧化硅和氟化物中的任一个，以及接合功能中间层，其配置于所述第一基板和所述第二基板之间；其中，通过使所述第一基板的被溅射的第一表面和所述第二基板的被溅射的第二表面经由所述接合功能中间层接触的常温接合，所述第一基板接合于所述第二基板，所述接合功能中间层的材料与所述第一基板的主成分不同，与所述第二基板的主成分不同，所述接合功能中间层的材料选自氧化物、氟化物或氮化物中的具有光透过性的材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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