[发明专利]设备及设备制造方法有效
申请号: | 200880114556.6 | 申请日: | 2008-10-14 |
公开(公告)号: | CN101849276A | 公开(公告)日: | 2010-09-29 |
发明(设计)人: | 内海淳;后藤崇之;井手健介;高木秀树;船山正宏 | 申请(专利权)人: | 三菱重工业株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L23/02;H01L27/14;H01L31/02;B23K20/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李贵亮 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 设备 制造 方法 | ||
1.一种设备,具有:
第一基板,其主成分为二氧化硅,
第二基板,其主成分为硅、化合物半导体、二氧化硅和氟化物中的任一个,以及
接合功能中间层,其配置于所述第一基板和所述第二基板之间;其中,
通过使所述第一基板的被溅射的第一表面和所述第二基板的被溅射的第二表面经由所述接合功能中间层接触的常温接合,所述第一基板接合于所述第二基板,
所述接合功能中间层的材料与所述第一基板的主成分不同,与所述第二基板的主成分不同,所述接合功能中间层的材料选自氧化物、氟化物或氮化物中的具有光透过性的材料。
2.根据权利要求1所述的设备,其中,
所述第一基板为石英玻璃、玻璃和具有结晶结构的石英中的任一个。
3.根据权利要求2所述的设备,其中,
所述第二基板为石英玻璃、玻璃和具有结晶结构的石英中的任一个。
4.根据权利要求3所述的设备,其中,
所述接合功能中间层的材料为氧化铝、二氧化钛、二氧化锆或二氧化铪。
5.根据权利要求4所述的设备,其中,
所述第一基板具有光透过性,
所述第二基板形成有受光元件,该受光元件感应于透过所述第一基板和所述第二基板的界面的来自外部的光,生成输出信号或电动势,
所述第一基板和所述第二基板密封所述受光元件。
6.根据权利要求5所述的设备,其中,
所述受光元件为CCD或CMOS传感器。
7.根据权利要求5所述的设备,其中,
所述受光元件为太阳电池、光电变换元件或将电磁波变换为电力的功能元件。
8.根据权利要求4所述的设备,其中,
所述第一基板具有光透过性,
所述第二基板形成有发出透过所述第一基板和所述第二基板的界面的光的发光元件,
所述第一基板和所述第二基板密封所述发光元件。
9.根据权利要求4所述的设备,其中,
所述第一基板具有光透过性,
所述第二基板具有光透过性,
所述第一基板和所述第二基板密封光信号传输用元件,该光信号传输用元件传递透过所述第一基板和所述第二基板的界面的光信号。
10.一种设备制造方法,包括:
将主成分为二氧化硅的第一基板的第一表面溅射的步骤;和
通过使所述第一表面与主成分为硅、化合物半导体、二氧化硅和氟化物中的任一个的第二基板的第二表面经由接合功能中间层接触,将所述第一基板与所述第二基板接合而生成接合基板的步骤,
所述接合功能中间层的材料与所述第一基板的主成分不同,与所述第二基板的主成分不同,该接合功能中间层的材料选自氧化物、氟化物或氮化物中的具有光透过性的材料。
11.根据权利要求10所述的设备制造方法,其中,
所述第一表面在形成了所述接合功能中间层后被溅射。
12.根据权利要求11所述的设备制造方法,其中,
还包括:溅射所述第一表面的同时,溅射所述第二表面的步骤。
13.根据权利要求10~12中任一项所述的设备制造方法,其中,
所述第一基板为石英、石英玻璃和玻璃中的任一个,
所述石英具有结晶结构。
14.根据权利要求13所述的设备制造方法,其中,
所述第二基板为石英、石英玻璃和玻璃中的任一个,
所述石英具有结晶结构。
15.根据权利要求14所述的设备制造方法,其中,
所述接合功能中间层的材料为氧化铝、二氧化钛、二氧化锆或二氧化铪。
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