[发明专利]关于流化床的方法和装置无效

专利信息
申请号: 200880114470.3 申请日: 2008-08-22
公开(公告)号: CN101842694A 公开(公告)日: 2010-09-22
发明(设计)人: 杨五强;王海刚 申请(专利权)人: 曼彻斯特大学
主分类号: G01N27/22 分类号: G01N27/22
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王新华
地址: 英国曼*** 国省代码: 英国;GB
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种在流化床装置中利用电容X线断层摄影术(ECT)生产流化颗粒的颗粒密度图图像的方法和装置,实现在流化过程期间在线测量流化颗粒的液体含量,并实现在流化期间流化颗粒介电常数的重新校准,当颗粒的液体含量变化时,诸如对于流化床干燥或造粒过程,允许ECT系统在线重新校准。使用定位以测量流化床的侧壁附近的密集流化颗粒的电容的基准电极,进行重新校准测量。ECT传感器阵列的电极可用于对流化颗粒进行重新校准测量,其能够用于在线液体含量测量,诸如液体含量,不用停止流化。该液体含量信息可用于过程控制。该方法也可用于分别提供经过成像平面的固体分布和总体液体分布的图像。
搜索关键词: 关于 流化床 方法 装置
【主权项】:
一种在流化床装置中通过电容X线断层摄影术产生流化颗粒的颗粒密度图图像的方法,所述流化床装置包括确定流化空间的气体分配板和一个或多个侧壁,和围绕所述一个或多个侧壁定位的电容X线断层摄影术传感器阵列,其中:对应于具有第一介电常数的流化颗粒的第一相和对应于具有第二介电常数的流化气体的第二相被成像,其特征在于:在计算图像中使用的第一介电常数在颗粒的流化期间通过使用一个或多个再校准电容被重新校准,以允许其介电常数值的变化,所述一个或多个重新校准电容由一对或多对基准电极测量,所述一对或多对基准电极被定位以测量接近所述一个或多个侧壁的密集流化颗粒的电容。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于曼彻斯特大学,未经曼彻斯特大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200880114470.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top