[发明专利]根据额外的可去除接触焊盘在闪速存储器内写入数据的系统和方法有效

专利信息
申请号: 200880114432.8 申请日: 2008-08-11
公开(公告)号: CN101842848A 公开(公告)日: 2010-09-22
发明(设计)人: P·格拉维茨;P·古格纳德;F·-X·马塞尔;M·蒂尔 申请(专利权)人: 格马尔托股份有限公司
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 李湘;李家麟
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明是一种管理第一闪速存储器内的写入操作的方法,该第一闪速存储器意欲被嵌入电子令牌的。闪速存储器具有包含多个连接焊盘的接口并且被附着在引线框上。所述方法包含下列步骤:在引线框上生成一组接触区域(ALE、nWE、I/O0、I/O7、VCC、GND),每个所述接触区域意欲直接与闪速存储器的一个连接焊盘结合,获得对存储器接口的控制,-通过接触区域向存储器接口发送物理数据,将物理数据写入第一闪速存储器,通过打孔操作从引线框去除该组接触区域。
搜索关键词: 根据 额外 去除 接触 存储器 写入 数据 系统 方法
【主权项】:
一种管理第一闪速存储器(MEM)内的写入操作的方法,该第一闪速存储器(MEM)意欲被嵌入电子令牌,所述第一闪速存储器(MEM)具有包含多个连接焊盘的接口,并且被附着在引线框(LF)上,其特征在于所述方法包含下列步骤:-在引线框(LF)上生成(S5)一组接触区域(ALE、nWE、I/O0、I/O7、VCC、GND),每个所述接触区域意欲直接与第一闪速存储器(MEM)的一个连接焊盘结合,-获得(S7)对存储器接口的控制,-通过接触区域(ALE、nWE、I/O0、I/O7、VCC、GND)向存储器接口发送(S10)物理数据(PD),-将物理数据(PD)写入(S11)第一闪速存储器(MEM),-通过打孔操作从引线框(LF)去除(S12)该组接触区域(ALE、nWE、I/O0、I/O7、VCC、GND)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格马尔托股份有限公司,未经格马尔托股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200880114432.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top