[发明专利]根据额外的可去除接触焊盘在闪速存储器内写入数据的系统和方法有效
| 申请号: | 200880114432.8 | 申请日: | 2008-08-11 |
| 公开(公告)号: | CN101842848A | 公开(公告)日: | 2010-09-22 |
| 发明(设计)人: | P·格拉维茨;P·古格纳德;F·-X·马塞尔;M·蒂尔 | 申请(专利权)人: | 格马尔托股份有限公司 |
| 主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李湘;李家麟 |
| 地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 根据 额外 去除 接触 存储器 写入 数据 系统 方法 | ||
1.一种管理第一闪速存储器(MEM)内的写入操作的方法,该第一闪速存储器(MEM)意欲被嵌入电子令牌,所述第一闪速存储器(MEM)具有包含多个连接焊盘的接口,并且被附着在引线框(LF)上,
其特征在于所述方法包含下列步骤:
-在引线框(LF)上生成(S5)一组接触区域(ALE、nWE、I/O0、I/O7、VCC、GND),每个所述接触区域意欲直接与第一闪速存储器(MEM)的一个连接焊盘结合,
-获得(S7)对存储器接口的控制,
-通过接触区域(ALE、nWE、I/O0、I/O7、VCC、GND)向存储器接口发送(S10)物理数据(PD),
-将物理数据(PD)写入(S11)第一闪速存储器(MEM),
-通过打孔操作从引线框(LF)去除(S12)该组接触区域(ALE、nWE、I/O0、I/O7、VCC、GND)。
2.如权利要求1所述的方法,其中逻辑数据(LD)存储在第二存储器(ME2)内并且其中所述方法包含下列步骤:
-读取(S8)附着在引线框(LF)上的所述第一闪速存储器(MEM)内的坏块数据(BB),
-从坏块数据(BB)和逻辑数据(LD)二者生成(S9)物理数据(PD)。
3.如权利要求2所述的方法,其中在第三存储器(ME3)内存储初始数据(ID),其中在第四存储器(ME4)内存储参数数据(PA),并且其中所述方法包含下列步骤:
-从初始数据(ID)和参数数据(PA)二者生成(S1)逻辑数据(LD)。
4.如权利要求3所述的方法,其中参数数据(PA)取决于所述第一闪速存储器(MEM)的类型。
5.如权利要求3或4所述的方法,其中所述第一闪速存储器(MEM)意欲由控制器单元(CC)访问并且其中参数数据(PA)取决于控制器单元(CC)的类型。
6.如前述权利要求之一所述的方法,其中所述方法在写入物理数据(PD)的步骤(S11)之后包括下列步骤:
-在引线框(LF)上附着(S2c)控制器单元(CC),
-粘合(S3c)控制器单元(CC),
-用树脂涂覆(S4)控制器单元(CC)和第一闪速存储器(MEM)。
7.如权利要求2、3、4或5所述的方法,其中,所述方法在读取坏块数据(BB)的步骤(S8)之前包含下列步骤:
-在引线框(LF)上附着(S2)控制器单元(CC),
-粘合(S3)控制器单元(CC)和第一闪速存储器(MEM),
-用树脂涂覆(S4)控制器单元(CC)和第一闪速存储器(MEM)。
8.如权利要求7所述的方法,其中所述方法包含下列步骤:
-在获得对存储器接口的控制的步骤(S7)之前将控制器单元(CC)设定(S6)在非激活状态。
9.如前述权利要求之一所述的方法,其中第一闪速存储器(MEM)是NAND闪速存储器。
10.如前述权利要求之一所述的方法,其中电子令牌是智能卡、便携式音频设备、移动手机、个人数字助理或USB令牌。
11.一种写入系统(WS),包含微处理器(MP)和多个接触区域(CA1、CA2、…、CA6),该多个接触区域(CA1、CA2、…、CA6)打算供在将物理数据(PD)写入至少一个附着在引线框(LF)上的闪速存储器(MEM)内时使用,其特征在于所述接触区域(CA1、CA2、…、CA6)适于建立与如权利要求1所述的引线框的一组接触区域(ALE、nWE、I/O0、I/O7、VCC、GND)的电气连接。
12.如权利要求11所述的写入系统(WS),其中所述写入系统(WS)包含存储逻辑数据(LD)的存储器(ME2),并且其中所述写入系统(WS)包含:第一装置(M1),用于读取附着在引线框(LF)上的闪速存储器(MEM)内的坏块数据(BB);第二装置(M2),用于从逻辑数据(LD)和坏块数据(BB)生成物理数据(PD);以及第三装置(M3),用于在附着在引线框(LF)上的闪速存储器(MEM)内写入物理数据(PD)。
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