[发明专利]半导体微粒的制造方法及其微粒有效
| 申请号： | 200880111041.0 | 申请日： | 2008-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN101855713A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 榎村真一 | 申请（专利权）人： | M技术株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/368 | 分类号： | H01L21/368;B01J19/00;B82B3/00;C01B33/023;C01G9/08 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 贾成功 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的课题为提供，可根据目的制造单分散的化合物半导体微粒、并且通过自我排出性也没有产物的堵塞、不需要很大的压力、而且生产率高的制造方法；使半导体原料在流体中析出·沉淀来制造化合物半导体微粒时，在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面之间形成薄膜流体；在该薄膜流体中，使半导体原料析出·沉淀。另外，使含有半导体元素的化合物在流体中与还原剂发生反应来制造含有前述半导体元素的半导体微粒时，将上述流体在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面之间形成薄膜流体；在该薄膜流体中，使含有上述半导体元素的化合物和还原剂发生反应。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 微粒 制造 方法 及其 | ||
【主权项】：
一种半导体微粒的制造方法，其特征在于，在流体中使半导体原料析出而制造半导体微粒时，将上述的流体作为在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面之间形成的薄膜流体，在该薄膜流体中使半导体原料析出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
