[发明专利]半导体微粒的制造方法及其微粒

权利要求书

1.一种半导体微粒的制造方法，其特征在于，在流体中使半导体原料析出而制造半导体微粒时，将上述的流体作为在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面之间形成的薄膜流体，在该薄膜流体中使半导体原料析出。

2.一种半导体微粒的制造方法，其特征在于，使含有半导体元素的化合物在流体中与还原剂反应而制造含有上述半导体元素的半导体微粒时，将上述的流体作为在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面之间形成的薄膜流体，在该薄膜流体中使含有上述半导体元素的化合物与还原剂反应。

3.一种化合物半导体微粒的制造方法，其特征在于，

使用至少2种流体，

对于其中至少1种流体，含有至少1种具有作为半导体原料的元素的离子，

在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面之间使上述的各流体合流而形成薄膜流体，在该薄膜流体中使作为上述的半导体原料的元素反应而得到半导体微粒。

4.一种半导体微粒的制造方法，其特征在于，

使用至少2种流体，

上述的各流体为含有至少1种具有作为半导体原料的元素的离子的逆胶束溶液，

在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面之间使上述的各流体合流而形成薄膜流体，在该薄膜流体中使作为上述的半导体原料的元素反应而得到化合物半导体微粒。

5.权利要求3或4所述的半导体微粒的制造方法，其特征在于，含有具有作为上述半导体原料的元素的离子的流体中，至少1种流体中含有分散剂。

6.权利要求5所述的半导体微粒的制造方法，其特征在于，上述分散剂为六磷酸、八磷酸、四磷酸、三磷酸等的多磷酸类，乙酸、丙烯酸、甲基丙烯酸等的高分子有机酸，聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇或六偏磷酸钠这样的高分子有机物，2-巯基乙醇、巯基乙酸、2-巯基乙胺、β-硫二甘醇、2，2′-硫代二乙酸等的硫醇类，或聚苯乙烯、膦氧化物类这样的水溶性有机物，或丁二酸二异辛酯磺酸钠(AOT)中的至少1种。

7.半导体微粒的制造方法，其特征在于，

使用至少2种流体，

其中至少1种流体为含有至少1种含半导体元素的化合物的流体，

在上述以外的流体中至少1种流体为含有还原剂的流体，

在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面之间形成的薄膜流体中使上述的各流体合流，在该薄膜流体中使含有上述半导体元素的化合物与还原剂反应而得到半导体微粒。

8.半导体微粒的制造方法，其特征在于，

使用至少2种流体，

其中至少1种流体为含有至少1种含半导体元素的化合物的逆胶束溶液，

在上述以外的流体中至少1种流体为含有至少1种还原剂的流体，

在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面之间形成的薄膜流体中使上述各流体合流，在该薄膜流体中使含有半导体元素的化合物与还原剂反应而得到半导体微粒。

9.权利要求1～8的任一项中所述的半导体微粒的制造方法，其特征在于，在上述流体中含有：含活化元素的化合物、或活化元素离子。

10.权利要求9所述的半导体微粒的制造方法，其特征在于，上述活化元素为选自Mn、Cu、Ag、Tb，Tm、Eu、Sm、F、Cl、Al、Pb、V、Zr、Hf、P、B中的至少1种。