[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200880111016.2 | 申请日： | 2008-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN101821853A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 鸟居克行;盐见新 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/3205;H01L21/336;H01L21/60;H01L23/52;H01L29/417;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 张敬强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能确保焊接强度并且能防止伴随着焊接的层间绝缘膜(12)的破坏及电极(13)的破坏且能提高电气特性的半导体器件及其制造方法。搭载在半导体器件上的半导体元件(1)具有层间绝缘膜(12)，该具有层间绝缘膜延伸部(121)、连接部(122)及开口部(123)，其中，该延伸部覆盖栅电极(116)上并在第一方向延伸，该连接部在第一方向隔开一定间隔地连接在第二方向邻接的延伸部彼此，该开口部由延伸部和连接部规定开口形状并露出上述基区(112)的主面和发射区(113)的主面。另外，连接部(122)下的在第一方向的第二宽度尺寸(122W)设定为比层间绝缘膜(12)的延伸部(121)下的发射区(113)的第二方向的第一宽度尺寸(121W)大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，具有：衬底，具有在第一方向相对的第一边和第二边、以及在与上述第一方向相交的第二方向相对的第三边和第四边；第一半导体区域，在上述衬底上在上述第二方向设置多个且露出第一主面地配设并具有第一导电型；第二半导体区域，在上述第一半导体区域内在上述第二方向设置多个且在上述第一半导体区域的第一主面露出第二主面并具有与上述第一导电型相反的第二导电型；控制电极，跨在上述第一半导体区域的上述第二半导体区域、和在上述第二方向邻接的其它上述第一半导体区域的其它上述第二半导体区域之间地配设；层间绝缘膜，具有延伸部、连接部以及开口部，上述延伸部覆盖上述控制电极上并在上述第一方向延伸，上述连接部在上述第一方向隔开一定间隔地连接在上述第二方向邻接的上述延伸部彼此，上述开口部由上述延伸部和上述连接部规定开口形状并露出上述第一半导体区域的上述第一主面和上述第二半导体区域的上述第二主面；以及电极，配置在上述层间绝缘膜上并通过上述层间绝缘膜的上述开口部与上述第一半导体区域的上述第一主面以及上述第二半导体区域的上述第二主面电连接。
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