[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，具有：

衬底，具有在第一方向相对的第一边和第二边、以及在与上述第一方向相 交的第二方向相对的第三边和第四边；

第一半导体区域，在上述衬底上在上述第二方向设置多个且露出第一主面 地配设并具有第一导电型；

第二半导体区域，在上述第一半导体区域内在上述第二方向设置多个且在 上述第一半导体区域的第一主面露出第二主面并具有与上述第一导电型相反 的第二导电型；

控制电极，跨在上述第一半导体区域的上述第二半导体区域、和在上述第 二方向邻接的其它上述第一半导体区域的其它上述第二半导体区域之间地配 设，上述控制电极的平面形状为在上述第一方向细长的带状；

层间绝缘膜，具有延伸部、连接部以及开口部，上述延伸部覆盖上述控制 电极上并在上述第一方向延伸，上述连接部在上述第一方向隔开一定间隔地连 接在上述第二方向邻接的上述延伸部彼此，上述开口部由上述延伸部和上述连 接部规定开口形状并露出上述第一半导体区域的上述第一主面和上述第二半 导体区域的上述第二主面；以及

电极，配置在上述层间绝缘膜上并通过上述层间绝缘膜的上述开口部与上 述第一半导体区域的上述第一主面以及上述第二半导体区域的上述第二主面 电连接，

在上述电极的焊接区内，上述层间绝缘膜的平面形状为网状。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还具有：

孔，在上述第一半导体区域的上述第二半导体区域和在上述第二方向邻接 的其它上述第一半导体区域的其它上述第二半导体区域之间从上述第一半导 体区域的上述第一主面向上述衬底侧贯通上述第一半导体区域地配置并且在 上述第一方向延伸；以及

绝缘膜，配置在上述孔的侧面及上述孔的底面上，

上述控制电极埋设在形成有上述绝缘膜的上述孔中。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还具有：

第三半导体区域，配置在上述第一半导体区域的上述第二半导体区域和在 上述第二方向邻接的其它上述第一半导体区域的其它上述第二半导体区域之 间且露出第三主面并具有第二导电型；以及

绝缘膜，配置在上述第三半导体区域的上述第三主面上，

上述控制电极配置在具有上述绝缘膜的上述第三半导体区域的上述第三 主面上。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，上述层间绝缘膜由 上述延伸部、上述连接部及上述开口部构成为网状。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，上述层间绝缘膜的 上述连接部配置在上述电极的焊接区的正下方的区域。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，上述电极与由金属 丝、夹持引线的任一种构成的外部配线电连接。