[发明专利]用于分立功率半导体器件的共源共栅电流传感器有效
| 申请号： | 200880110769.1 | 申请日： | 2008-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN101821852A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 理查德·K·威廉斯 | 申请（专利权）人： | 先进模拟科技公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H02M1/08;H01L29/80 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邸万奎 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 共源共栅电流传感器包括主MOSFET和感测MOSFET。主MOSFET的漏极端连接到电流被监测的功率器件，并且主MOSFET的源极和栅极端分别地连接到感测MOSFET的源极和栅极端上。在一个使用可变电流源和负反馈的实施例中，主MOSFET和感测MOSFET的漏极电压是相等的。主MOSFET的栅极宽度通常大于感测MOSFET的栅极宽度。使用栅极宽度的尺寸比，通过感应感测MOSFET中的电流大小来测量主MOSFET中的电流。将相对大的MOSFET插入到电源电路中减少了功率损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 分立 功率 半导体器件 共源共栅 电流传感器 | ||
【主权项】：
一种组合，包括：连接到电源电路中的半导体功率器件；以及共源共栅电流传感器，用于测量电源电路中的电流的，该共源共栅电流传感器与该半导体功率器件串联连接，并包括：主MOSFET，该主MOSFET的源极和漏极端连接在电源电路中；感测MOSFET，该感测MOSFET的源极端连接到主MOSFET的源极端，主MOSFET和感测MOSFET的各个栅极端连接到电流传感器的栅极端，主MOSFET和感测MOSFET共同形成电流镜配置。
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