[发明专利]用于在处理室内定位衬底的偏移校正技术有效
申请号: | 200880110046.1 | 申请日: | 2008-09-29 |
公开(公告)号: | CN101809731A | 公开(公告)日: | 2010-08-18 |
发明(设计)人: | 杰克·陈;安德鲁·D·贝利三世;本·穆林;斯蒂芬·J·凯恩 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/677;H01L21/683;H01L21/687;H01L21/3065 |
代理公司: | 上海华晖信康知识产权代理事务所(普通合伙) 31244 | 代理人: | 樊英如 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种用于将衬底对准支撑机构的处理中心的方法。该方法包括在多个方位和离所述衬底的几何中心的多个径向距离上确定衬底处理后的所述衬底厚度。该方法还包括从衬底厚度和处理持续时间推出一组处理速率值。该方法进一步包括对处理速率创建偏心绘图,其表示一个基本上同心的圆,所述偏心绘图的圆周上的点基本上具有所述第一处理速率。该方法又包括对所述偏心绘图应用曲线拟合方程以确定一组参数。该方法又进一步包括将所述组参数教导给一组机械臂,由此使得所述组机械臂将由所述支撑机构支撑的另一个衬底与所述支撑机构的所述处理中心对准。 | ||
搜索关键词: | 用于 处理 室内 定位 衬底 偏移 校正 技术 | ||
【主权项】:
一种用于将衬底对准支撑机构的处理中心的方法,其中所述处理中心代表等离子体处理室中用于处理所述衬底的聚焦中心,该方法包括:在多个方位和离所述衬底的几何中心的多个径向距离上确定衬底处理后所述衬底的多个厚度值;从所述多个厚度值和处理持续时间推出一组处理速率值;对所述组处理速率值的第一处理速率创建偏心绘图,其中所述偏心绘图表示一个基本上同心的圆,所述偏心绘图的圆周上的点基本上具有所述第一处理速率;对所述偏心绘图应用曲线拟合方程以确定一组参数,该组参数用于相对于所述支撑机构偏移所述衬底;以及将所述组参数教导给一组机械臂,由此使得当所述组机械臂在所述等离子体处理室中定位另一个衬底以进行处理时,所述组机械臂将由所述支撑机构支撑的所述另一个衬底与所述支撑机构的所述处理中心对准。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造