[发明专利]用于在处理室内定位衬底的偏移校正技术有效
申请号: | 200880110046.1 | 申请日: | 2008-09-29 |
公开(公告)号: | CN101809731A | 公开(公告)日: | 2010-08-18 |
发明(设计)人: | 杰克·陈;安德鲁·D·贝利三世;本·穆林;斯蒂芬·J·凯恩 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/677;H01L21/683;H01L21/687;H01L21/3065 |
代理公司: | 上海华晖信康知识产权代理事务所(普通合伙) 31244 | 代理人: | 樊英如 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 处理 室内 定位 衬底 偏移 校正 技术 | ||
1.一种用于将衬底对准支撑机构的处理中心的方法,其中所述处 理中心代表等离子体处理室中用于处理所述衬底的聚焦中心, 该方法包括:
在多个方位和离所述衬底的几何中心的多个径向距离上 确定衬底处理后的所述衬底的多个厚度值;
从所述多个厚度值和处理持续时间推出一组处理速率 值;
对所述组处理速率值的第一处理速率创建偏心绘图,其 中所述偏心绘图表示一个基本上同心的圆,所述偏心绘图的圆 周上的点基本上具有所述第一处理速率;
对所述偏心绘图应用曲线拟合方程以确定一组参数,该 组参数用于相对于所述支撑机构偏移所述衬底;以及
将所述组参数教导给一组机械臂,由此使得当所述组机 械臂在所述等离子体处理室中定位另一个衬底以进行处理时, 所述组机械臂将由所述支撑机构支撑的所述另一个衬底与所 述支撑机构的所述处理中心对准。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述多个厚度值是通过鉴别 一组数据点确定的,其中所述组数据点包括处理前数据点和处 理后数据点。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述等离子体处理室是沉积 室和清洁室之一。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一处理速率是沉积速 率和清洁速率之一。
5.根据权利要求1所述的方法,其中所述曲线拟合方程是来自傅 里叶变换的傅里叶级数方程。
6.根据权利要求1所述的方法,其中所述曲线拟合方程是正弦曲 线上的最小二乘拟合。
7.根据权利要求1所述的方法,其中所述偏心绘图是正弦曲线。
8.一种用于将衬底对准支撑机构的处理中心的方法,其中所述处 理中心代表等离子体处理室中用于处理所述衬底的聚焦中心, 该方法包括:
鉴别一组数据点,其中所述组数据点包括在多个方位和 离所述衬底的几何中心多个径向距离处的所述衬底的多个厚 度值;
处理所述组数据点以计算用于确定所述支撑机构的所述 处理中心的一组参数;以及
将所述组参数教导给一组机械臂,由此使得当所述组机 械臂在所述等离子体处理室中定位另一个衬底以进行处理时, 所述组机械臂将由所述支撑机构支撑的所述另一个衬底与所 述支撑机构的所述处理中心对准。
9.根据权利要求8所述的方法,其中所述处理所述组数据点包括 通过确定处理后数据点和处理前数据点之间的差异计算 沉积深度值,
从所述沉积深度值和处理持续时间推出一组沉积速率 值,
对所述多个方位产生厚度曲线,
从所述厚度曲线推断一组半径,
对所述组沉积速率值的第一沉积速率创建偏心绘图,其 中所述偏心绘图表示一个基本上同心的圆,所述偏心绘图的圆 周上的点基本上具有所述第一沉积速率,以及
对所述偏心绘图应用曲线拟合方程以确定一组参数,该 组参数用于相对于所述支撑机构偏移所述衬底。
10.根据权利要求8所述的方法,其中处理所述组数据点包括 通过确定处理后数据点和处理前数据点之间的差异计算 密度深度值,
从所述密度深度值和处理持续时间推出一组清洁速率 值,
对所述多个方位产生厚度曲线,
从所述厚度曲线推断一组半径,
对所述组清洁速率值的第一清洁速率创建偏心绘图,其 中所述偏心绘图表示一个基本上同心的圆,所述偏心绘图的圆 周上的点基本上具有所述第一清洁速率,以及
对所述偏心绘图应用曲线拟合方程以确定一组参数,该 组参数用于相对于所述支撑机构偏移所述衬底。
11.根据权利要求8所述的方法,其中所述多个厚度值是通过鉴别 处理前数据点和处理后数据点确定的,其中所述处理前数据点 和所述处理后数据点是使用扫描样式产生的。
12.根据权利要求8所述的方法,其中使用测量工具来产生离所述 衬底的所述几何中心的所述多个径向距离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造