[发明专利]半导体装置及引线接合方法无效

专利信息
申请号: 200880108251.4 申请日: 2008-03-25
公开(公告)号: CN101802993A 公开(公告)日: 2010-08-11
发明(设计)人: 三井竜成;木内逸人 申请(专利权)人: 株式会社新川
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18
代理公司: 上海三和万国知识产权代理事务所 31230 代理人: 王礼华
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及半导体装置及引线接合方法。在半导体装置中,包括第一层挤压部(100),第一引线(25),以及第二引线(26)。第一层挤压部(100)系将初始球焊接在第一层半导体芯片(11)的第一层焊接点(14)上,形成球颈,压碎该球颈,引线折返在该压碎球颈上,使得该引线侧面挤压在上述压碎的球颈上形成。第一引线(25)从第一层挤压部(100)向着引脚(16)方向延伸。第二引线(26)从第二层半导体芯片(12)的第二层焊接点(15)向着第一层挤压部(100)成环,与第一层挤压部(100)的第二层焊接点(15)侧接合。这样,一边减少给与半导体芯片的损伤,一边以少的接合次数进行引线连接。
搜索关键词: 半导体 装置 引线 接合 方法
【主权项】:
一种半导体装置,通过各引线连接至少三个焊接点之中、各两个焊接点之间,其特征在于,包括:挤压部,将插入穿通毛细管从其下端突出的引线前端形成的初始球焊接在第一焊接点上,形成球颈,压碎该球颈,挤压在上述压碎球颈上折返的引线的侧面形成;第一引线,从挤压部向第二焊接点延伸;各第二引线,至少一个第三焊接点位于与从第一焊接点向着第二焊接点方向不同的方向,从该第三焊接点向着挤压部成环,与挤压部的各第三焊接点侧接合。
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