[发明专利]太阳能电池及其制造方法无效
| 申请号： | 200880107365.7 | 申请日： | 2008-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN101803042A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 洪震;金桢植 | 申请（专利权）人： | 周星工程股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种太阳能电池及其制造方法，其中，所述太阳能电池包括：包含具有PN结构的半导体晶片的第一电池；在所述第一电池的一个表面上形成的、包含具有PIN结构的薄膜半导体层的第二电池；在所述第二电池的一个表面上形成的第一电极层；以及在所述第一电池的另一个表面上形成的第二电极层。与现有技术中的太阳能电池不同，根据本发明所述的太阳能电池能够在所述第一电池中吸收长波长范围的光，而在所述第二电池中吸收短波长范围的光。结果是，根据本发明所述的太阳能电池可以吸收所有范围内的光，由此实现了20％或20％以上的高效率。另外，整个加工时间变短，因为不需要在长的时间段内形成硅薄膜的过程。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池，包括：包含具有PN结构的半导体晶片的第一电池；在所述第一电池的一个表面上形成的、包含具有PIN结构的薄膜半导体层的第二电池；在所述第二电池的一个表面上形成的第一电极层；以及在所述第一电池的另一个表面上形成的第二电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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