[发明专利]太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，包括：

包含具有PN结构的半导体晶片的第一电池；

在所述第一电池的一个表面上形成的、包含具有PIN结构的薄膜半导体层的第二电池；

在所述第二电池的一个表面上形成的第一电极层；以及

在所述第一电池的另一个表面上形成的第二电极层。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，还包括位于所述第二电池和所述第一电极层之间的、具有不平滑表面的透明导电层。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一电池包含P型多晶硅层和在所述P型多晶硅层的一个表面上的N型多晶硅层。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池，还包括在所述P型多晶硅层的另一个表面上的P⁺型多晶硅层。

5.根据权利要求3所述的太阳能电池，其中，所述第二电池顺序包含P型非晶硅层、I型非晶硅层和N型非晶硅层。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一电池包括N型多晶硅层、以及在所述N型多晶硅层的一个表面上的P型多晶硅层。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池，还包括在所述N型多晶硅层的另一个表面上的N⁺型多晶硅层。

8.根据权利要求6所述的太阳能电池，其中，所述第二电池顺序包含N型非晶硅层、I型非晶硅层和P型非晶硅层。

9.一种制造太阳能电池的方法，包括：

形成包含具有PN结构的半导体晶片的第一电池；

在所述第一电池的一个表面上形成包含具有PIN结构的薄膜半导体层的第二电池；以及

在所述第二电池的一个表面上形成第一电极层，并在所述第一电池的另一个表面上形成第二电极层。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括在所述第二电池和所述第一电极层之间形成具有不平滑表面的透明导电层。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，形成所述第一电池的步骤包括：

制备P型多晶硅晶片；以及

通过利用N型掺杂物对所述P型多晶硅晶片进行掺杂从而在所述P型多晶硅晶片的一个表面上形成N型多晶硅层。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，制备所述P型多晶硅晶片的步骤包括，在所述P型多晶硅晶片上形成一个不平滑的表面，以便在所述N型多晶硅层中产生一个不平滑表面。

13.根据权利要求11所述的方法，还包括在所述P型多晶硅晶片的另一个表面上形成P⁺型多晶硅层。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，形成所述第二电池的步骤包括，顺序沉积P型非晶硅层、I型非晶硅层和N型非晶硅层。

15.根据权利要求9所述的方法，其中，形成所述第一电池的步骤包括：

制备N型多晶硅晶片；以及

通过利用P型掺杂物对所述N型多晶硅晶片进行掺杂从而在所述N型多晶硅晶片的一个表面上形成P型多晶硅层。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，制备所述N型多晶硅晶片的步骤包括，在所述N型多晶硅晶片上形成一个不平滑的表面，以便在所述P型多晶硅层中产生一个不平滑表面。

17.根据权利要求15所述的方法，还包括在所述N型多晶硅晶片的另一个表面上形成N⁺型多晶硅层。

18.根据权利要求15所述的方法，其中，形成所述第二电池的步骤包括，顺序沉积N型非晶硅层、I型非晶硅层和P型非晶硅层。

19.一种太阳能电池，包括：

包含半导体晶片的第一电池；

在所述第一电池的一个表面上形成的、包含薄膜半导体层的第二电池；

在所述第二电池的一个表面上形成的第一电极层；以及

在所述第一电池的另一个表面上形成的第二电极层，

其中，所述第一电池中所吸收的光的波长范围不同于所述第二电池中所吸收的光的波长范围。

20.根据权利要求19所述的太阳能电池，其中，所述第一电池包含具有PN结构的多晶硅层，而所述第二电池包含具有PIN结构的非晶硅层。