[发明专利]半导体式气体传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200880107211.8 | 申请日： | 2008-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN101809436A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 玉置纯;中田嘉昭;山岸丰 | 申请（专利权）人： | 学校法人立命馆;株式会社堀场制作所 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 黄依文 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体式气体传感器及其制造方法，可明显增加对于低浓度气体的检测灵敏度，并可加快响应—回复速度，实现整体性能的显著提高。本发明的半导体式气体传感器具有：中央部具有中空部(1a)的Si基板(1)；以遮住所述中空部(1a)的状态布设在该基板(1)上的膜片构造的绝缘膜(2)；形成在该绝缘膜(2)上的加热器(4)；电阻测定用电极(6)以及形成在该电阻测定用电极(6)上的气体感应膜(7)，所述气体感应膜(7)由包含六方晶氧化钨结晶的单斜晶氧化钨构成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 气体 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体式气体传感器，包括：中央部具有中空部的半导体基板；以遮住所述中空部的状态布设在该基板上的膜片构造的绝缘膜；形成在该绝缘膜上的加热器；电阻测定用电极以及形成在该电阻测定用电极上的气体感应膜，该半导体式气体传感器的特征在于，所述气体感应膜由包含六方晶氧化钨结晶的单斜晶氧化钨构成。
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