[发明专利]半导体式气体传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体式气体传感器，包括：中央部具有中空部的半导体基板；以遮住所述中空部的状态布设在该基板上的膜片构造的绝缘膜；形成在该绝缘膜上的加热器；电阻测定用电极以及形成在该电阻测定用电极上的气体感应膜，该半导体式气体传感器的特征在于，

所述气体感应膜由包含六方晶氧化钨结晶的单斜晶氧化钨构成。

2.如权利要求1所述的半导体式气体传感器，其特征在于，所述气体感应膜，通过将包含六方晶氧化钨结晶的单斜晶氧化钨悬浊液在所述电阻测定用电极上进行烧结而形成。

3.如权利要求2所述的半导体式气体传感器，其特征在于，包含所述六方晶氧化钨结晶的单斜晶氧化钨悬浊液，是在钨酸悬浊液中添加离子交换水及阳离子系表面活性剂并在140～160℃下进行6～12小时的水热处理而合成的悬浊液。

4.如权利要求2所述的半导体式气体传感器，其特征在于，包含所述六方晶氧化钨结晶的单斜晶氧化钨悬浊液，是通过如下方法合成的悬浊液：向钨酸悬浊液添加离子交换水及阳离子系表面活性剂，将其pH值调整到超过0.5、不到2.5，并且在超过140℃、不到160℃下进行6～12小时的水热处理，从而合成的。

5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体式气体传感器，其特征在于，所述气体感应膜，是通过如下方法形成的气体感应膜：将包含所述六方晶氧化钨结晶的单斜晶氧化钨悬浊液滴到电阻测定用电极上，干燥后，在300～400℃下进行2～3小时的烧结，从而形成的。

6.一种半导体式气体传感器的制造方法，该半导体式气体传感器包括：中央部具有中空部的半导体基板；以遮住所述中空部的状态布设在该基板上的膜片构造的绝缘膜；形成在该绝缘膜上的加热器；电阻测定用电极以及形成在该电阻测定用电极上的气体感应膜，该半导体式气体传感器的制造方法的特征在于，

通过如下方法在所述电阻测定用电极上形成气体感应膜：使在保持成一定温度的3N～6N的HNO₃中添加(NH₄)₁₀W₁₂O₄₁·5H₂O水溶液所获得的沉淀物熟化，然后通过反复进行多次的吸引过滤和水洗，将钨酸悬浊液取出，在该取出的钨酸悬浊液中添加离子交换水及阳离子系表面活性剂并将其搅拌分散，接着，在超过140℃、不到160℃下对该含有表面活性剂的钨酸悬浊液进行6～12小时的水热处理，由此制成包含六方晶氧化钨结晶的单斜晶氧化钨悬浊液，将该包含六方晶氧化钨结晶的单斜晶氧化钨悬浊液滴到所述电阻测定用电极上，干燥后，在300～400℃下进行2～3小时的烧结，从而形成的。

7.如权利要求6所述的半导体式气体传感器的制造方法，其特征在于，包含所述六方晶氧化钨结晶的单斜晶氧化钨悬浊液，是通过以下方法合成的悬浊液：向钨酸悬浊液添加离子交换水及阳离子系表面活性剂，将其pH值调整到超过0.5、不到2.5，并且在超过140℃、不到160℃下进行6～12小时的水热处理，从而合成的。