[发明专利]供电装置及其驱动方法

摘要

在作为复合电路的反向导通半导体装置(10)中，有时在发射极(32)上会被施加比集电极(42)的正电压更高的正电压。此时，在形成有反向导通半导体装置(10)的回流二极管(24)的区域中，体接触区(34)作为阳极工作，而漂移接触区(40)作为阴极工作，从而自阳极向阴极流有电流(106)。如果此时向沟槽栅电极(26)施加比集电极(42)更低电位的电压，则在阴极内将产生p型载流子(46)，从而使回流二极管内的载流子量增加。由此，能够降低回流二极管(24)的正向电压降，从而使电力的恒定损耗减少。如此，对于利用了由开关元件与回流二极管反并联而形成的复合电路的供电装置，能够减少供电装置的电力损耗。

主权项

一种供电装置的驱动方法，该供电装置由多个在同一块半导体基板上并存IGBT元件区与二极管元件区的反向导通半导体装置组合而构成，所述驱动方法的特征在于，在IGBT元件区中，层叠有发射区、体区、漂移区以及集电区，并且形成有贯穿体区并延伸的沟槽栅电极，其中，所述体区将发射区与漂移区分开，在二极管元件区中，层叠有体接触区、体区、漂移区以及漂移接触区，并且形成有从表面延伸至漂移区的沟槽栅电极，在将IGBT元件区切换至导通状态而进行供电时，向沟槽栅电极施加第1极性电压，在通过将该IGBT元件区切换至断开状态从而使回流电流在其他反向导通半导体装置的二极管元件区中流动时，向流有该回流电流的反向导通半导体装置的沟槽栅电极施加第2极性电压。