[发明专利]供电装置及其驱动方法

权利要求书

1.一种供电装置的驱动方法，该供电装置由多个在同一块半导 体基板上并存IGBT元件区与二极管元件区的反向导通半导体装置组 合而构成，所述驱动方法的特征在于，

在IGBT元件区中，层叠有发射区、体区、漂移区以及集电区， 并且形成有贯穿体区并延伸的沟槽栅电极，其中，所述体区将发射区 与漂移区分开，

在二极管元件区中，层叠有体接触区、体区、漂移区以及漂移接 触区，并且形成有从半导体基板的表面延伸至漂移区的沟槽栅电极，

在将IGBT元件区切换至导通状态而进行供电时，向反向导通半 导体装置的至少IGBT元件区的沟槽栅电极施加第1极性电压，

在通过将该IGBT元件区切换至断开状态从而使回流电流在其他 反向导通半导体装置的二极管元件区中流动时，向流有该回流电流的 反向导通半导体装置的至少二极管元件区的沟槽栅电极施加第2极 性电压。

2.如权利要求1所述的驱动方法，其特征在于，

在将所述IGBT元件区再次切换至导通状态之前，先中断向所述 其他反向导通半导体装置的至少二极管元件区的沟槽栅电极施加第2 极性电压。

3.一种供电装置的驱动方法，该供电装置由至少三个以上的、 在同一块半导体基板上并存IGBT元件区与二极管元件区的反向导通 半导体装置组合而构成，所述驱动方法的特征在于，

在IGBT元件区中，层叠有发射区、体区、漂移区以及集电区， 并且形成有贯穿体区并延伸的沟槽栅电极，其中，所述体区将发射区 与漂移区分开，

在二极管元件区中，层叠有体接触区、体区、漂移区以及漂移接 触区，并且形成有从半导体基板的表面延伸至漂移区的沟槽栅电极，

在将至少两个IGBT元件区切换至导通状态而进行供电时，向两 个反向导通半导体装置的至少IGBT元件区的沟槽栅电极施加第1极 性电压，其中，所述两个反向导通半导体装置分别具有该两个IGBT 元件区中的一个且处于被相互并联的不同串联电路中，

通过将所述两个IGBT元件区中的一个IGBT元件区切换至断开状 态，并将另一个IGBT元件区维持在导通状态，从而使回流电流在第 3反向导通半导体装置的二极管元件区中流动，其中，所述第3反向 导通半导体装置与具有所述一个IGBT元件区的反向导通半导体装置 处于相同串联电路中，

在将所述一个IGBT元件区再次切换至导通状态之后，向所述第 3反向导通半导体装置的至少二极管元件区的沟槽栅电极施加第2极 性电压。