[发明专利]半导体发光器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200880106174.9 | 申请日： | 2008-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN101796661A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 朴炯兆;姜大成;孙孝根 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;王春伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括：包括至少一个具有不同折射率的反射层的多重反射层、在所述多重反射层上的第一导电型半导体层、在所述第一导电型半导体层上的有源层和在所述有源层上的第二导电型半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，包括：多重反射层，所述多重反射层包括至少一个具有不同折射率的反射层；在所述多重反射层上的第一导电型半导体层；在所述第一导电型半导体层上的有源层；和在所述有源层上的第二导电型半导体层。
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