[发明专利]半导体发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光器件，包括：

多重反射层，所述多重反射层包括至少一个具有不同折射率的反射层；

在所述多重反射层上的第一导电型半导体层；

在所述第一导电型半导体层上的有源层；和

在所述有源层上的第二导电型半导体层。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述多重反射层中的每一个反射层包括SiO₂、Si₃N₄、SiON、TiO₂、Al₂O₃和ZrO中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述多重反射层包括：具有第一折射率的第一反射层和设置在所述第一反射层上或/和下方的具有第二折射率的第二反射层，所述第一和第二反射层是交替形成的。

4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述多重反射层的每一个反射层由折射率小于氮化镓(GaN)的折射率的材料形成。

5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述多重反射层包括2-50个反射层对，所述反射层对包括具有不同折射率的至少两个反射层。

6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述多重反射层具有半球形或多边形中的至少其一。

7.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述多重反射层的每一个反射层的厚度为发光波长的四分之一或者为10nm～500nm。

8.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述多重反射层具有不平坦结构，所述半导体发光器件包括在具有所述不平坦结构的所述多重反射层下方的衬底。

9.根据权利要求1所述的半导体发光器件，包括：在所述多重反射层和所述衬底上的缓冲层和未掺杂的半导体层中的至少其一。

10.一种制造半导体发光器件的方法，所述方法包括：

在衬底上形成具有不平坦结构的多重反射层，所述多重反射层包括具有不同折射率的反射层；

在所述衬底和所述多重反射层上形成第一导电型半导体层；

在所述第一导电型半导体层上形成有源层；和

在所述有源层上形成第二导电型半导体层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中形成多重反射层包括：

在所述衬底上交替形成具有不同折射率的反射层；

在所述反射层的最上层上形成具有不平坦结构的光刻胶图案；和

沿所述光刻胶图案蚀刻所述反射层以形成具有所述不平坦结构的所述多重反射层。

12.根据权利要求11所述的方法，包括：

对所述光刻胶图案实施回流加热工艺以形成半球形光刻胶图案，

其中利用所述半球形光刻胶图案蚀刻所述反射层以形成半球形多重反射层。

13.根据权利要求10所述的方法，其中所述多重反射层的每一个反射层包括SiO₂、Si₃N₄、SiON、TiO₂、Al₂O₃和ZrO中的至少一种。

14.根据权利要求10所述的方法，其中所述多重反射层包括2-50个反射层对，所述反射层对包括具有不同折射率的多个反射层。

15.根据权利要求10所述的方法，其中所述多重反射层包括半球形图案、多棱柱形图案、多面体图案中的至少其一。