[发明专利]使用类金刚石母体在内表面生成金刚石样碳镀层的方法无效
| 申请号: | 200880105213.3 | 申请日: | 2008-06-26 |
| 公开(公告)号: | CN101802253A | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
| 发明(设计)人: | A·W·图多珀;W·J·伯德曼;S·F·赛曼纳;T·B·卡瑟利;R·M·卡尔森 | 申请(专利权)人: | 分之一技术公司;美国雪佛龙公司 |
| 主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 余颖 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 本发明涉及采用内表面等离子体增强化学气相沉积和空心阴极技术形成高SP3含量非晶碳镀层的方法。该方法可调整摩擦性能,如硬度、弹性模量、耐磨性和摩擦系数,还可调整光学性能,如折射率。此外,所得镀层均匀,具有高耐腐蚀性。通过控制压力、类金刚石母体的种类和偏置电压,这种新的方法防止了类金刚石母体在撞击基材时完全解体。类金刚石在高压下保留可得高SP3含量膜的SP3键。这样使沉积速率比未使用类金刚石母体可能达到的更快。 | ||
| 搜索关键词: | 使用 金刚石 母体 在内 表面 生成 镀层 方法 | ||
【主权项】:
一种通过等离子增强化学气相沉积在具有内表面的中空元件的内表面形成金刚石样碳镀层的方法,该方法包括步骤:(a)在待处理的元件内形成低气压;(b)在所述元件内部导入类金刚石母体气体;(c)在第一电极与第二电极之间形成偏置电压;以及(d)在所述元件的内表面附近建立等离子区;其中,所述类金刚石母体气体包括金刚烷系列的类金刚石,并且选择所述压力和所述偏置电压以在所述表面上形成金刚石样碳的沉积。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





