[发明专利]溅射系统无效
| 申请号： | 200880105048.1 | 申请日： | 2008-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN101796213A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | G·亨宁杰;B·孔谢;K·塞尔;M·拉斯克;T·迪德里克 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;H01J37/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李静岚;谭祐祥 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及一种设备(10)，其用于将至少一种所选材料溅射到衬底(5)上并且引起这种材料的反应，该设备包括：真空腔(11)，在其中设置衬底架(12)；至少一个磁控溅射机构(15)，其设置在靠近衬底架(12)的工作区中并且具有所选材料的靶，该靶适合于产生用于将至少一种材料溅射到衬底(5)上的第一等离子体；以及用于产生次要等离子体的次要等离子体机构(16)，其设置在靠近磁控溅射机构(15)并且靠近衬底架(12)的工作区中，溅射机构(15)和次要等离子体机构(16)形成溅射区和活化区。设置至少两个电磁体(1、3)和/或放射状磁化的环形磁体以及至少一个磁多极(2)以产生磁场来包含次要等离子体，该磁多极(2)是由多个永久磁体形成的。本发明还涉及一种用于涂覆衬底的方法，其中首先通过溅射工艺将材料沉积在衬底上，然后所沉积的材料在等离子体中反应以形成化合物，该等离子体包含必要的活性反应组分，其中借助于磁场增加等离子体密度和等离子体的电离度，该磁场由至少两个电磁体(1、3)和/或放射状磁化的环形磁体以及至少一个磁多极(2)产生，该磁多极(2)是由多个永久磁体形成的。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 系统 | ||
【主权项】：
一种设备(10)，其用于将至少一种所选材料溅射到衬底(5)上并且引起这种材料的反应，该设备包括：真空腔(11)，在其中设置衬底架(12)；至少一个磁控溅射机构(15)，其设置在靠近衬底架(12)的工作区中并且具有所选材料的靶，该靶适合于产生用于将至少一种材料溅射到衬底(5)上的第一等离子体；以及用于产生次要等离子体的次要等离子体机构(16)，其设置在靠近磁控溅射机构(15)并且靠近衬底架(12)的工作区中，溅射机构(15)和次要等离子体机构(16)形成溅射区和活化区，其特征在于：设置至少两个电磁体(1、3)和/或放射状磁化的环形磁体以及至少一个磁多极(2)以产生磁场来包含次要等离子体，该磁多极(2)是由多个永久磁体形成的。
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