[发明专利]包含卡宾-过渡金属配合物发射体和至少一种选自二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷杂环戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩S-氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩S，S-二氧化物的化合物的有机发光二极管

摘要

本发明涉及一种包含阳极An和阴极Ka和配置在An和阴极Ka之间且包含至少一种卡宾配合物的发光层E和合适的话至少一个其他层的有机发光二极管，其中所述发光层E和/或至少一个其他层包含至少一种选自二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷杂环戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩S-氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩S，S-二氧化物的化合物，本发明还涉及一种包含至少一种上述化合物和至少一种卡宾配合物的发光层，上述化合物作为基质材料、空穴/激子阻挡材料、电子/激子阻挡材料、空穴注入材料、电子注入材料、空穴导体材料和/或电子导体材料的用途，以及涉及一种选自包含至少一种本发明有机发光二极管的固定显示器单元、移动的显示器单元和照明单元的器件；本发明还涉及所选的二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷杂环戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩S-氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩S，S-二氧化物的化合物，及其制备方法。

主权项

1.一种包含阳极An和阴极Ka和配置在An和阴极Ka之间且包含至少一种通式I的卡宾配合物的发光层E以及合适的话至少一个其他层的有机发光二极管：其中符号各自如下所定义：M¹为选自元素周期表(CAS版)第IB、IIB、IIIB、IVB、VB、VIB、VIIB族，镧系元素和第IIIA族金属的金属原子，对于特定金属原子呈任何可能的氧化态；卡宾为可以是不带电荷或单阴离子和单-、二-或三齿的卡宾配体；卡宾配体也可以是二-或三卡宾配体；L为可以是单齿或二齿的单阴离子或双阴离子配体，优选单阴离子配体；K为不带电荷的单齿或二齿配体；n为卡宾配体数目，其中n至少为1且式I配合物中的卡宾配体在n＞1时可以相同或不同；m为配体L的数目，其中m可以为0或≥1且配体L在m＞1时可以相同或不同；o为配体K的数目，其中o可以为0或≥1且配体K在o＞1时可以相同或不同；p为配合物的电荷：0、1、2、3或4，优选0、1或2，更优选0；W为单阴离子抗衡离子；其中n+m+o之和和电荷p取决于所用金属原子的氧化态和配位数，配合物的电荷，以及卡宾、L和K配体的齿数，以及卡宾和L配体的电荷，条件是n至少为1；其中有机发光二极管包含至少一种通式II的化合物，其存在于发光层E和/或所述至少一个其他层中：其中X为NR¹、S、O、PR¹、SO₂或SO；R¹为取代或未取代的C₁-C₂₀烷基、取代或未取代的C₆-C₃₀芳基，或取代或未取代的具有5-30个环原子的杂芳基；R²、R³、R⁴、R⁵、R⁶、R⁷各自独立地为取代或未取代的C₁-C₂₀烷基，或取代或未取代的C₆-C₃₀芳基，或通式(c)的结构：R^a，R^b各自独立地为取代或未取代的C₁-C₂₀烷基，取代或未取代的C₆-C₃₀芳基，或取代或未取代的具有5-30个环原子的杂芳基或选自如下的具有给体或受体作用的取代基：C₁-C₂₀烷氧基、C₆-C₃₀芳氧基、C₁-C₂₀烷硫基、C₆-C₃₀芳硫基、SiR¹⁴R¹⁵R¹⁶、卤素基团、卤代C₁-C₂₀烷基、羰基(-CO(R¹⁴))、羰硫基(-C＝O(SR¹⁴))、羰氧基(-C＝O(OR¹⁴))、氧羰基(-OC＝O(R¹⁴))、硫羰基(-SC＝O(R¹⁴))、氨基(-NR¹⁴R¹⁵)、OH、拟卤素基团、酰胺基(-C＝O(NR¹⁴))、-NR¹⁴C＝O(R¹⁵)、膦酸根(-P(O)(OR¹⁴)₂)、磷酸根(-OP(O)(OR¹⁴)₂)、膦(-PR¹⁴R¹⁵)、氧化膦(-P(O)R¹⁴₂)、硫酸根(-OS(O)₂OR¹⁴)、亚砜(-S(O)R¹⁴)、磺酸根(-S(O)₂OR¹⁴)、磺酰基(-S(O)₂R¹⁴)、磺酰胺(-S(O)₂NR¹⁴R¹⁵)、NO₂、有机硼酸酯(-OB(OR¹⁴)₂)、亚氨基(-C＝NR¹⁴R¹⁵)、硼烷基团、锡烷基团、肼基、腙基、肟基、亚硝基、重氮基、乙烯基、亚砜亚胺、铝烷、锗烷、环硼氧烷和环硼氮烷；R¹⁴、R¹⁵、R¹⁶各自独立地为取代或未取代的C₁-C₂₀烷基，或取代或未取代的C₆-C₃₀芳基；q、r各自独立地为0、1、2或3；其中，在q或r为0的情况下，芳基的所有可取代位置由氢取代，其中在式(c)基团中基团和指数X″′、R⁵″′、R⁶″′、R⁷″′、R^a″′、R^b″′、q″′和r″′各自独立地如对通式(II)的化合物的基团和指数X、R⁵、R⁶、R⁷、R^a、R^b、q和r所定义。