[发明专利]包含卡宾-过渡金属配合物发射体和至少一种选自二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷杂环戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩S-氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩S，S-二氧化物的化合物的有机发光二极管

权利要求书

1.一种包含阳极An和阴极Ka和配置在An和阴极Ka之间且包含至少一种通式I的卡宾配合物的发光层E以及合适的话至少一个其他层的有机发光二极管：

其中符号各自如下所定义：

M¹为选自元素周期表(CAS版)第IB、IIB、IIIB、IVB、VB、VIB、VIIB族，镧系元素和第IIIA族金属的金属原子，对于特定金属原子呈任何可能的氧化态；

卡宾为可以是不带电荷或单阴离子和单-、二-或三齿的卡宾配体；卡宾配体也可以是二-或三卡宾配体；

L为可以是单齿或二齿的单阴离子或双阴离子配体，优选单阴离子配体；

K为不带电荷的单齿或二齿配体；

n为卡宾配体数目，其中n至少为1且式I配合物中的卡宾配体在n＞1时可以相同或不同；

m为配体L的数目，其中m可以为0或≥1且配体L在m＞1时可以相同或不同；

o为配体K的数目，其中o可以为0或≥1且配体K在o＞1时可以相同或不同；

p为配合物的电荷：0、1、2、3或4，优选0、1或2，更优选0；

W为单阴离子抗衡离子；

其中n+m+o之和和电荷p取决于所用金属原子的氧化态和配位数，配合物的电荷，以及卡宾、L和K配体的齿数，以及卡宾和L配体的电荷，条件是n至少为1；

其中有机发光二极管包含至少一种通式II的化合物，其存在于发光层E和/或所述至少一个其他层中：

其中

X为NR¹、S、O、PR¹、SO₂或SO；

R¹为取代或未取代的C₁-C₂₀烷基、取代或未取代的C₆-C₃₀芳基，或取代或未取代的具有5-30个环原子的杂芳基；

R²、R³、R⁴、R⁵、R⁶、R⁷各自独立地为取代或未取代的C₁-C₂₀烷基，或取代或未取代的C₆-C₃₀芳基，或通式(c)的结构：

R^a，R^b各自独立地为取代或未取代的C₁-C₂₀烷基，取代或未取代的C₆-C₃₀芳基，或取代或未取代的具有5-30个环原子的杂芳基或选自如下的具有给体或受体作用的取代基：C₁-C₂₀烷氧基、C₆-C₃₀芳氧基、C₁-C₂₀烷硫基、C₆-C₃₀芳硫基、SiR¹⁴R¹⁵R¹⁶、卤素基团、卤代C₁-C₂₀烷基、羰基(-CO(R¹⁴))、羰硫基(-C＝O(SR¹⁴))、羰氧基(-C＝O(OR¹⁴))、氧羰基(-OC＝O(R¹⁴))、硫羰基(-SC＝O(R¹⁴))、氨基(-NR¹⁴R¹⁵)、OH、拟卤素基团、酰胺基(-C＝O(NR¹⁴))、-NR¹⁴C＝O(R¹⁵)、膦酸根(-P(O)(OR¹⁴)₂)、磷酸根(-OP(O)(OR¹⁴)₂)、膦(-PR¹⁴R¹⁵)、氧化膦(-P(O)R¹⁴₂)、硫酸根(-OS(O)₂OR¹⁴)、亚砜(-S(O)R¹⁴)、磺酸根(-S(O)₂OR¹⁴)、磺酰基(-S(O)₂R¹⁴)、磺酰胺(-S(O)₂NR¹⁴R¹⁵)、NO₂、有机硼酸酯(-OB(OR¹⁴)₂)、亚氨基(-C＝NR¹⁴R¹⁵)、硼烷基团、锡烷基团、肼基、腙基、肟基、亚硝基、重氮基、乙烯基、亚砜亚胺、铝烷、锗烷、环硼氧烷和环硼氮烷；

R¹⁴、R¹⁵、R¹⁶各自独立地为取代或未取代的C₁-C₂₀烷基，或取代或未取代的C₆-C₃₀芳基；

q、r各自独立地为0、1、2或3；其中，在q或r为0的情况下，芳基的所有可取代位置由氢取代，

其中在式(c)基团中基团和指数X″′、R⁵″′、R⁶″′、R⁷″′、R^a″′、R^b″′、q″′和r″′各自独立地如对通式(II)的化合物的基团和指数X、R⁵、R⁶、R⁷、R^a、R^b、q和r所定义。