[发明专利]层间绝缘膜和布线结构以及它们的制造方法无效
| 申请号： | 200880103082.5 | 申请日： | 2008-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN101779279A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 大见忠弘;松冈孝明;井口敦智;绵贯耕平;小池匡;足立龙彦 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东北大学;东京毅力科创株式会社;宇部兴产株式会社;宇部日东化成株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312;H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蒋亭;苗堃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明使用绝缘性涂布膜形成层间绝缘膜，所述绝缘性涂布膜具有2.5以下的介电常数k，且由通式((CH3)nSiO2-n/2)x(SiO2)1-x(式中，n＝1～3、x≤1)所表示的一种或二种以上的氧化物构成。利用旋涂涂布得到的绝缘性涂布膜不反映基底的凹凸，是平坦的，而且，经热处理的膜的表面粗糙度以Ra计为1nm以下，以P-V值计为20nm以下。含有绝缘性涂布膜的层间绝缘膜无需CMP工艺，仅通过蚀刻就可以形成布线结构及电极。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 布线 结构 以及 它们 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种层间绝缘膜，其特征在于，被设置在下部电极、或布线层与上部布线层之间，至少部分含有介电常数k为2.5以下的绝缘性涂布膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国立大学法人东北大学;东京毅力科创株式会社;宇部兴产株式会社;宇部日东化成株式会社，未经国立大学法人东北大学;东京毅力科创株式会社;宇部兴产株式会社;宇部日东化成株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880103082.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
