[发明专利]层间绝缘膜和布线结构以及它们的制造方法

权利要求书

1.一种层间绝缘膜，其特征在于，被设置在下部电极、或布线层与上部布线层之间，至少部分含有介电常数k为2.5以下的绝缘性涂布膜。

2.一种层间绝缘膜，其特征在于，被设置在下部电极、或布线层与上部布线层之间，含有氟碳膜作为主要的绝缘膜，在所述氟碳膜上设有绝缘性涂布膜。

3.根据权利要求2所述的层间绝缘膜，其中，所述氟碳膜含有F和C，且以原子比计F/C为0.8～1.1。

4.根据权利要求2或3所述的层间绝缘膜，其中，所述氟碳膜的介电常数k为1.8～2.2。

5.根据权利要求2～4中任一项所述的层间绝缘膜，其中，所述氟碳膜的厚度为50～500nm。

6.根据权利要求2～5中任一项所述的层间绝缘膜，其中，所述绝缘性涂布膜的厚度为所述氟碳膜的厚度的1/10以下。

7.根据权利要求2～5中任一项所述的层间绝缘膜，其中，所述绝缘性涂布膜的厚度为所述氟碳膜的厚度的1/5以下。

8.根据权利要求2～5中任一项所述的层间绝缘膜，其中，所述绝缘性涂布膜的厚度为所述氟碳膜的厚度的1/3以下。

9.根据权利要求2～8中任一项所述的层间绝缘膜，其中，所述氟碳膜是在等离子体中使用含有C和F的气体中的至少一种气体、通过CVD而形成的，所述等离子体是使用Ar气、Xe气和Kr气中的至少一种气体产生的。

10.根据权利要求1所述的层间绝缘膜，其中，所述绝缘性涂布膜是主要的绝缘膜。

11.根据权利要求2～9中任一项所述的层间绝缘膜，其中，所述绝缘性涂布膜的介电常数k为2.5以下。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的层间绝缘膜，其中，所述绝缘性涂布膜的表面平坦度以Ra计为1nm以下，以峰谷值计为20nm以下。

13.根据权利要求1～12中任一项所述的层间绝缘膜，其中，所述绝缘性涂布膜含有Si、C和O，且以原子比计为O＞Si＞1/2C。

14.根据权利要求1～13中任一项所述的层间绝缘膜，其中，所述绝缘性涂布膜是将液体状的涂布膜干燥并焙烤而得的膜，所述液体状的涂布膜含有金属有机化合物和金属无机化合物中的至少一方与溶剂。

15.根据权利要求1～13中任一项所述的层间绝缘膜，其中，所述绝缘性涂布膜是将液体状的涂布膜干燥并在600℃以下焙烤而得的膜，所述液体状的涂布膜含有金属有机化合物和金属无机化合物中的至少一方与溶剂。

16.根据权利要求1～13中任一项所述的层间绝缘膜，其中，所述绝缘性涂布膜是将液体状的涂布膜干燥并在400℃以下焙烤而得的膜，所述液体状的涂布膜含有金属有机化合物和金属无机化合物中的至少一方与溶剂。

17.根据权利要求1～16中任一项所述的层间绝缘膜，其中，所述绝缘性涂布膜是SiO的重复单元为主骨架、且其组成由通式((CH₃)_nSiO_2-n/2)_x(SiO₂)_1-x所表示的一种或二种以上的氧化物构成的绝缘体膜，通式中，n＝1～3、x≤1。

18.根据权利要求1～17中任一项所述的层间绝缘膜，其中，所述绝缘性涂布膜具有其表面被氮化而成的氮化表面层。

19.一种多层布线结构，其特征在于，具有权利要求1～18中任一项所述的层间绝缘膜，所述层间绝缘膜中具有通孔和槽中的至少一方、埋设于所述通孔和槽中的至少一方的导体层、和设置于所述导体层周围的屏障层。

20.一种多层布线结构，具有层间绝缘膜，其特征在于，所述层间绝缘膜含有绝缘体膜，所述绝缘体膜由涂布膜得到，所述涂布膜由通式((CH₃)_nSiO_2-n/2)_x(SiO₂)_1-x所表示的一种或二种以上的氧化物构成，通式中，n＝1～3、x≤1。