[发明专利]半导体应变传感器有效

专利信息
申请号: 200880103012.X 申请日: 2008-07-25
公开(公告)号: CN101802541A 公开(公告)日: 2010-08-11
发明(设计)人: 风间敦;冈田亮二;川井哲郎 申请(专利权)人: 株式会社日立制作所
主分类号: G01B7/16 分类号: G01B7/16;G01L1/18
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 王永刚
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种半导体应变传感器,具有作为应变检测部件由具有压电电阻元件的半导体衬底构成的应变传感器芯片,其特性长期稳定,与测量对象物的应变对应地在应变传感器芯片中产生的应变的变换系数在所测量的大小的应变范围内是稳定的。用金属接合材料接合了应变传感器芯片的金属基底板具有用于从应变传感器芯片的侧边突出而安装到测量对象物上的2个或4个外伸构件。理想的是,在与将应变传感器芯片接合到金属基底板上的接合区域对应的金属基底板下表面区域与外伸构件下表面之间设置有沟,在金属基底板下表面设置有被沟夹着的突出部。
搜索关键词: 半导体 应变 传感器
【主权项】:
一种半导体应变传感器,其特征在于包括:应变传感器芯片,该应变传感器芯片由半导体衬底构成,且具有在其上表面形成的压电电阻元件;金属基底板,该金属基底板设置有用金属接合材料接合应变传感器芯片的下表面的接合区域,具有在与接合区域相对的金属基底板的下表面具有用于从接合区域的侧边突出而与测量对象物的表面连接的连接区域的至少2个外伸构件;以及布线构件,该布线构件与应变传感器芯片所具有的压电电阻元件的电极连接并引出到外部。
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