[发明专利]半导体应变传感器

权利要求书

1.一种半导体应变传感器，其特征在于包括：

应变传感器芯片，该应变传感器芯片由半导体衬底构成，且具有在 其上表面形成的压电电阻元件；

金属基底板，该金属基底板设置有用金属接合材料接合应变传感器 芯片的下表面的接合区域，具有从接合区域的侧边突出的至少2个外伸 构件，上述外伸构件在与接合区域相对的金属基底板的下表面具有用于 与测量对象物的表面连接的连接区域；以及

布线构件，该布线构件与应变传感器芯片所具有的压电电阻元件的 电极连接并引出到外部，

在金属基底板的下表面沿着与接合区域的侧边对应的线设置有一对 第一沟，

上述一对第一沟沿与应变传感器芯片的应变检测方向垂直的方向且 横跨金属基底板的宽度的全长地设置，

在金属基底板的下表面沿着与接合区域的侧边对应的上述线设置上 述一对第一沟的侧壁中的更靠近接合区域的侧壁。

2.根据权利要求1所述的半导体应变传感器，其特征在于：

具有与上述一对第一沟垂直地设置的一对第二沟。

3.根据权利要求2所述的半导体应变传感器，其特征在于：

金属基底板相对于其厚度中央的平面，在金属基底板的上表面具有 与位于金属基底板的下表面的上述一对第一沟和上述一对第二沟分别对 称地形成的一对第三沟和一对第四沟，

在形成在上表面的上述一对第三沟和上述一对第四沟之间，上述接 合区域比其上表面低出与该一对笫三沟和该一对第四沟的深度对应的高 度。

4.根据权利要求1所述的半导体应变传感器，其特征在于：

上述布线构件由以下部分构成：

一端用树脂粘接在金属基底板上的挠性布线板；

将挠性布线板的布线与应变传感器芯片所具有的压电电阻元件的电 极之间电连接起来的金属线；以及

覆盖压电电阻元件的电极和金属线的树脂，

其中，在应变传感器芯片的与基底板相对置的面上通过溅镀形成由 Cr、Ni和Au的3层构成的金属溅镀层，并在其上蒸镀Sn系金属焊锡 材料，从而将应变传感器固定于基底板。

5.根据权利要求1所述的半导体应变传感器，其特征在于：

上述布线构件由以下部分构成：

设置在应变传感器芯片所具有的压电电阻元件的电极上的金属凸 块；

具有与金属凸块电连接的布线的挠性布线板；以及

填充在应变传感器芯片和挠性布线板之间的树脂。

6.根据权利要求1所述的半导体应变传感器，其特征在于：

上述布线构件由以下部分构成：

隔着绝缘膜形成在金属基底板上的基底板电极；

将基底板电极和应变传感器芯片所具有的压电电阻元件的电极之间 电连接起来的金属线；以及

覆盖压电电阻元件的电极和金属线和基底板电极的树脂。