[发明专利]半导体装置及其制造方法以及图像显示装置有效
| 申请号： | 200880101816.6 | 申请日： | 2008-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN101772842A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 中谷诚一;山下嘉久;北江孝史;泽田享 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/47;H01L29/49;H01L29/872;H01L51/05;H01L51/50;H05B33/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够以更高密度形成半导体元件的半导体装置及其制造方法。同时提供一种使用了该半导体装置的图像显示装置。半导体装置的特征在于，具有：具有从一面贯通到另一面的通孔的树脂薄膜；沿所述通孔的内壁设置的源电极；沿所述通孔的内壁设置的漏电极；与所述通孔对置设置于所述树脂薄膜的另一面的栅电极；设置于所述栅电极上，且位于所述通孔内的底部的绝缘层；以所述源电极与所述漏电极接触的方式配置于所述通孔的内部的有机半导体，其中，在所述通孔内的底部，所述有机半导体与所述绝缘层的至少一部分接触，且在有机半导体与绝缘层接触的附近形成通道。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 以及 图像 显示装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具有：具有从一面贯通到另一面的通孔的树脂薄膜；沿所述通孔的内壁设置的源电极；沿所述通孔的内壁设置的漏电极；与所述通孔对置并设置于所述树脂薄膜的另一面的栅电极；设置于所述栅电极上，且位于所述通孔内的底部的绝缘层；以与所述源电极及所述漏电极接触的方式配置于所述通孔的内部的有机半导体，其中，在所述通孔内的底部，所述有机半导体与所述绝缘层的至少一部分接触，在有机半导体的与绝缘层接触的附近形成通道。
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