[发明专利]半导体装置及其制造方法以及图像显示装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

具有从一面贯通到另一面的通孔的树脂薄膜；

沿所述通孔的内壁设置的源电极；

沿所述通孔的内壁设置的漏电极；

与所述通孔对置并设置于所述树脂薄膜的另一面的栅电极；

设置于所述栅电极上，且位于所述通孔内的底部的绝缘层；

以与所述源电极及所述漏电极接触的方式配置于所述通孔的内部的具有中空部的有机半导体，

其中，在所述通孔内的底部，所述有机半导体与所述绝缘层的至少一部分接触，在有机半导体的与绝缘层接触的附近形成通道。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

还具有与所述树脂薄膜的另一面接合的第二树脂薄膜。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二树脂薄膜具有第二通孔和形成于该第二通孔的包含导电性组合物的通路。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述源电极具有在所述绝缘层上延伸的源电极延伸部，所述漏电极具有在所述绝缘层上延伸的漏电极延伸部，所述有机半导体与所述绝缘体在所述源电极延伸部与所述漏电极延伸部之间接触。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述源电极延伸部和所述漏电极延伸部具有梳形形状，且以相互啮合的方式对置分离配置。

6.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述绝缘层形成为从所述通孔的底部延伸并覆盖所述通孔的内壁，所述源电极及所述漏电极隔着所述绝缘层沿所述通孔的内壁形成。

7.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

在所述有机半导体的所述中空部填充有绝缘材料。

8.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述有机半导体包括高分子有机半导体。

9.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述有机半导体包括低分子有机半导体。

10.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述树脂薄膜是选自聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯树脂及芳香族聚酰胺树脂中的任意一种。

11.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述源电极及所述漏电极为贵金属。

12.一种图像显示装置，其特征在于，具有：

排列有发光元件的显示部；

驱动用于该显示部的所述发光元件的驱动电路层，

其中，所述驱动电路层包括权利要求1～11中任一项所述的半导体装置。

13.根据权利要求12所述的图像显示装置，其特征在于，

将权利要求1～11中任一项所述的半导体装置的半导体元件用作进行导通/截止的开关晶体管。

14.根据权利要求12或13所述的图像显示装置，其特征在于，

将权利要求1～11中任一项所述的半导体装置的半导体元件用作驱动所述发光元件的发光的激励晶体管。

15.根据权利要求12所述的图像显示装置，其特征在于，

所述发光元件是有机电致发光元件。

16.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

(1)在树脂薄膜的一面形成绝缘层和配置在该绝缘层上的栅电极，形成从所述树脂薄膜的另一面至所述绝缘层的通孔的工序；

(2)在所述通孔的内壁形成源电极和漏电极的工序；

(3)以与所述栅电极、所述漏电极及所述绝缘层接触的方式在通孔内部配置有机半导体的工序，

其中，以在所述有机半导体与所述绝缘层的接触部附近形成通道的方式配置所述源电极和所述漏电极。

17.根据权利要求16所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述工序(1)包括在第二树脂薄膜上配置所述树脂薄膜的一面的工序，所述第二树脂薄膜具有在表面配置的栅电极和在该栅电极上配置的绝缘层。