[发明专利]薄膜型太阳能电池的制造方法以及用该方法所制造出的薄膜型太阳能电池有效
| 申请号： | 200880101665.4 | 申请日： | 2008-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN101772843A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 金宰湖;洪震;梁昶实 | 申请（专利权）人： | 周星工程股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公布了一种制造薄膜型太阳能电池的方法以及使用这种方法所制造的薄膜型太阳能电池。所述方法包括：用来在衬底上以预定间隔形成多个单体前电极图案的第一过程；用来在所述衬底上形成半导体层图案的第二过程，其中，所述半导体层图案包括将所述太阳能电池划分成单体电池的分隔部分和将所述电极图案电连接起来的接触部分；以及用来形成多个单体后电极图案的第三过程，其中，所述多个单体后电极图案通过所述接触部分分别与所述单体前电极图案相连，并且通过所述分隔部分彼此分隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 太阳能电池 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种薄膜型太阳能电池的制造方法，包括：用来在衬底上以预定间隔形成多个单体前电极图案的第一过程；用来在所述衬底上形成半导体层图案的第二过程，其中，所述半导体层图案包括将所述太阳能电池划分成单体电池的分隔部分和将所述电极图案电连接起来的接触部分；以及用来形成多个单体后电极图案的第三过程，其中，所述多个单体后电极图案通过所述接触部分分别与所述单体前电极图案相连，并且通过所述分隔部分彼此分隔开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
