[发明专利]薄膜型太阳能电池的制造方法以及用该方法所制造出的薄膜型太阳能电池有效
| 申请号: | 200880101665.4 | 申请日: | 2008-08-06 |
| 公开(公告)号: | CN101772843A | 公开(公告)日: | 2010-07-07 |
| 发明(设计)人: | 金宰湖;洪震;梁昶实 | 申请(专利权)人: | 周星工程股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
| 代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 陈英俊 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 制造 方法 以及 | ||
1.一种薄膜型太阳能电池的制造方法,包括:
用来在衬底上以预定间隔形成多个单体前电极图案的第一过程;
用来在所述衬底上形成半导体层图案的第二过程,其中,所述半导体层 图案包括将所述太阳能电池划分成单体电池的分隔部分和将所述电极图案电 连接起来的接触部分;以及
用来形成多个单体后电极图案的第三过程,其中,所述多个单体后电极 图案通过所述接触部分分别与所述单体前电极图案相连,并且通过所述分隔 部分彼此分隔开,
其中,所述第一过程包括:
在最靠外的单体前电极图案中形成第一隔离部分,以便由所述第一隔离 部分将所述衬底的最靠外部分隔离开。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一过程包括:
在所述衬底上形成前电极层;以及
图案化所述前电极层。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一过程包括利用丝网印刷 法、喷墨印刷法、凹版印刷法或微接触印刷法在所述衬底上形成所述前电极 图案。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一过程还包括对所述前电 极图案的表面所进行的纹理化处理。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第二过程包括:
在所述衬底的整个表面上形成半导体层;以及
图案化所述半导体层。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第二过程包括:
在所述衬底的整个表面上顺序形成半导体层和透明导电层;以及
图案化所述半导体层和所述透明导电层。
7.根据权利要求2所述的方法,其中,所述第二过程包括:
在所述最靠外的半导体层图案中形成第二隔离部分,以便由所述第一和 第二隔离部分将所述衬底的所述最靠外部分隔离开来,其中,所述第二隔离 部分与所述前电极图案的所述第一隔离部分相对应。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第二过程包括形成具有PIN 结构的半导体层图案,在所述PIN结构中,顺序沉积P型半导体层、本征半 导体层和N型半导体层。
9.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第三过程包括利用丝网印刷 法、喷墨印刷法、凹版印刷法或微接触印刷法形成所述后电极图案。
10.根据权利要求7所述的方法,其中,所述第三过程包括:
在最靠外的后电极图案中形成第三隔离部分,以便通过所述第一、第二、 和第三隔离部分将所述衬底的最靠外部分隔离开来,其中,所述第三隔离部 分与所述前电极图案的所述第一隔离部分相对应。
11.一种薄膜型太阳能电池的制造方法,包括:
在衬底的整个表面上形成前电极层;
通过对所述前电极层进行图案化而以预定间隔形成多个单体前电极图 案,其中,最靠外的前电极图案中具有第一隔离部分;
在所述衬底的整个表面上顺序形成半导体层和透明导电层;
图案化所述半导体层和所述透明导电层,以便形成将所述太阳能电池划 分成单体电池的分隔部分、将所述电极图案电连接起来的接触部分和与所述 前电极图案的第一隔离部分相对应的第二隔离部分;以及
形成多个单体后电极图案,所述单体后电极图案具有与所述前电极图案 的所述第一隔离部分相对应的第三隔离部分、通过所述接触部分分别与所述 单体前电极图案电连接、以及通过所述分隔部分彼此分隔开来。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,形成所述单体后电极图案是通 过丝网印刷法、喷墨印刷法、凹版印刷法或微接触印刷法来进行的。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于周星工程股份有限公司,未经周星工程股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200880101665.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:波导管的连接结构
- 下一篇:载置台构造以及处理装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





