[发明专利]微谐振器系统及其制造方法有效
| 申请号： | 200880101543.5 | 申请日： | 2008-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN101772867A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | M·谭;S·-Y·王;D·斯图尔特;D·法塔勒 | 申请（专利权）人： | 惠普发展公司;有限责任合伙企业 |
| 主分类号： | H01S3/08 | 分类号： | H01S3/08;H01S3/109 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的各个实施例涉及微谐振器系统和制造谐振器系统的方法。在一个实施例中，一种微谐振器系统(200)包括具有顶表面层(204)的衬底(206)以及埋入该衬底中且毗邻该衬底的顶表面层定位的至少一个波导(214，216)。该微谐振器系统还包括微谐振器(202，402)，这些微谐振器具有顶层(218)、中间层(222)、底层(220)、外围区以及外围涂层(224)。该微谐振器的底层(220)附连至衬底的顶表面层(204)并与之电连接。该微谐振器被定位成使该外围区的至少一部分位于至少一个波导(214，216)之上。该外围涂层(224)覆盖外围表面的至少一部分，且具有相对微谐振器的顶层、中间层以及底层而言更低的折射率。 | ||
| 搜索关键词： | 谐振器 系统 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种微谐振器系统(200)，包括：具有顶表面层(204)的衬底(206)埋入所述衬底(206)并毗邻所述衬底的所述顶表面层定位的至少一个波导(214，216)；以及具有顶层(218)、中间层(222)、底层(220)、外围区以及外围涂层(224)的微谐振器，其中所述微谐振器的所述底层附连至所述衬底的所述顶表面层并与之电连接，所述谐振器被定位成使所述外围区的至少一部分位于所述至少一个波导之上，而且所述外围涂层覆盖所述外围表面的至少一部分，且具有相对所述微谐振器的所述顶层、中间层以及底层而言更低的折射率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠普发展公司;有限责任合伙企业，未经惠普发展公司;有限责任合伙企业许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880101543.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于UPS的可调电池充电器
- 下一篇：真空断路器
