[发明专利]微谐振器系统及其制造方法

权利要求书

1.一种微谐振器系统(200)，包括：

具有顶表面层(204)的衬底(206)；

埋入所述衬底(206)并毗邻所述衬底的所述顶表面层定位的至少一个波导(214，216)；以及

具有顶层(218)、中间层(222)、底层(220)、外围区以及外围涂层(224)的微谐振器，其中所述微谐振器的所述底层附连至所述衬底的所述顶表面层并与之电连接，所述谐振器被定位成使所述外围区的至少一部分位于所述至少一个波导之上，而且所述外围涂层覆盖所述顶层的顶表面并覆盖所述顶层、所述底层以及所述中间层的外围表面，且具有相对所述微谐振器的所述顶层、中间层以及底层而言更低的折射率，并且所述外围涂层具有相对所述顶层、所述底层以及所述中间层的外表面而言更光滑的外表面，并且其中所述外围涂层的厚度从5到25nm。

2.如权利要求1所述的系统，其特征在于，还包括：

位于所述微谐振器的所述顶表面层上的第一电极(208)；以及

位于所述衬底的所述顶表面层之上且毗邻所述微谐振器的至少一个第二电极(212)。

3.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述中间层还包括至少一个量子阱(301-303)。

4.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述顶层(218)还包括p型半导体，而所述底层(220)还包括n型半导体。

5.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述外围涂层(224)还包括磷基半导体，而且所述外围涂层用作为所述微谐振器的包覆层。

6.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述微谐振器还包括以下之一：

微盘(102)；以及

微环(402)。 

7.一种微谐振器，包括：

顶层(218)；

底层(220)；

具有一个或多个量子阱(301-303)的中间层(222)，所述中间层被夹在所述顶层与所述底层之间并与所述顶层和所述底层接触；以及

覆盖所述顶层的顶表面并覆盖所述顶层、所述底层以及所述中间层的外围表面的外围涂层(224)，所述外围涂层具有相对所述顶层、所述底层以及所述中间层而言更低的折射率，并且所述外围涂层具有相对所述顶层、所述底层以及所述中间层的外表面而言更光滑的外表面，并且其中所述外围涂层的厚度从5到25nm。

8.如权利要求7所述的微谐振器，其特征在于，所述顶层(218)还包括p型半导体，而所述底层(220)还包括n型半导体。

9.如权利要求7所述的微谐振器，其特征在于，所述外围涂层(224)还包括磷基半导体，而且所述外围涂层用作为包覆层。

10.如权利要求7所述的微谐振器，其特征在于，还包括以下之一：

微盘(202)；以及

微环(402)。