[发明专利]微谐振器系统及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200880100998.5 申请日: 2008-07-30
公开(公告)号: CN101765949A 公开(公告)日: 2010-06-30
发明(设计)人: M·谭;S·-Y·王;D·斯图尔特;D·法塔勒 申请(专利权)人: 惠普发展公司;有限责任合伙企业
主分类号: H01S3/08 分类号: H01S3/08;H01S3/109
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 李玲
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明的多个实施例涉及可用作激光器、调制器以及光检测器的微谐振器系统以及用于制造微谐振器系统的方法。在一个实施例中,一种微谐振器系统(100)包括具有顶表面层(104)的衬底(106)、埋入衬底(106)的至少一个波导(114,116)以及微盘(102),该微盘(102)具有顶层(118)、中间层(122)、底层(120)、电流隔离区(128)以及外围环形区(124,126)。微盘(102)的底层(120)与衬底(106)的顶表面层(104)电连接,且被定位成使外围环形区(124,126)的至少一部分位于至少一个波导(114,116)之上。电流隔离区(128)被配置成占据微盘的中心区域的至少一部分,而且具有相对外围环形区而言更低的折射率和更大的带隙。
搜索关键词: 谐振器 系统 及其 制造 方法
【主权项】:
一种微谐振器系统(100),包括:具有顶表面层(104)的衬底(106);埋入所述衬底(106)并毗邻所述衬底的所述顶表面层定位的至少一个波导(114,116);以及微盘(102),所述微盘具有顶层(118)、中间层(122)、底层(120)、电流隔离区(128)以及外围环形区(124,126),其中所述微盘的所述底层附连至所述衬底的所述顶表面层且与其电连接,所述微盘被定位成使所述外围环形区的至少一部分位于所述至少一个波导之上,而所述电流隔离区被配置成占据所述微盘的中心区域的至少一部分,且具有相对而言所述外围环形区更低的折射率和更大的带隙。
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