[发明专利]微谐振器系统及其制造方法

权利要求书

1.一种微谐振器系统(100)，包括：

具有顶表面层(104)的衬底(106)；

埋入所述衬底(106)并毗邻所述衬底的所述顶表面层定位的至少一个波导(114，116)；以及

微盘(102)，所述微盘具有顶层(118)、中间层(122)、底层(120)、电流隔离区(128)以及外围环形区(124，126)，其中所述微盘的所述底层附连至所述衬底的所述顶表面层且与其电连接，所述微盘被定位成使所述外围环形区的至少一部分位于所述至少一个波导之上，而所述电流隔离区被配置成占据所述微盘的中心区域的至少一部分，且具有相对而言所述外围环形区更低的折射率和更大的带隙。

2.如权利要求1所述的系统，其特征在于，还包括：

位于所述微盘的顶层(118)上的第一电极(108，502)；以及

位于所述衬底的所述顶表面层之上且毗邻所述微盘的至少一个第二电极(112，504)。

3.如权利要求2所述的系统，其特征在于，所述第一电极还包括被配置成覆盖所述微盘的顶层(118)上的所述外围区的至少一部分的微环电极(502)。

4.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述中间层(122)还包括：

夹在两个不同类型的半导体层之间的中间量子阱层。

5.如权利要求4所述的系统，其特征在于，所述顶层(118)还包括p型半导体，而所述底层(120)还包括n型半导体。

6.如权利要求4所述的系统，其特征在于，所述中间层(122)还包括至少一个量子阱。

7.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述微盘(102)还包括以下之一：

圆形形状；

椭圆形状；以及

适于支持耳语廊模式的任何其它形状。

8.一种微盘，包括：

顶层(118)；

底层(120)；

具有至少一个量子阱的中间层(122)，所述中间层被夹在所述顶层与所述底层之间；

包括顶层、中间层以及底层的至少一部分的外围环形区(124，126)；以及

被配置成占据所述微盘的中心区域的至少一部分的电流隔离区(128)，所述电流隔离区包括所述顶层、中间层以及底层的至少一部分，且具有相对所述外围环形区而言更低的折射率。

9.如权利要求8所述的微盘，其特征在于，所述顶层(118)还包括p型半导体，而所述底层(120)还包括n型半导体。

10.如权利要求8所述的微盘，其特征在于，所述微盘还包括以下之一：

圆形形状；

椭圆形状；以及

适合于支持耳语廊模式的任何其它形状。