[发明专利]CIS系太阳能电池及其制造方法有效
| 申请号： | 200880024493.5 | 申请日： | 2008-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN101743641A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 大田盛久;小林大造;船本昭宏;青山茂 | 申请（专利权）人： | 欧姆龙株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04;C25D1/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 利用电铸法形成由Ni和Mo的合金构成的合金基板(32)。合金基板(32)在厚度方向上的合金组成为变化的斜度组成，下面侧为以Ni为主的组成，上面侧为以Mo为主的组成。另外，在合金基板(32)的上面形成有光散射效果高的呈棱锥状的许多微小的凹凸形状(37)。在合金基板(32)的上面形成有CIS系光吸收层(33)，在其上方设有上部电极(35)。 | ||
| 搜索关键词： | cis 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种CIS系太阳能电池，其具有在上面具有凹凸形状的基板、用于吸收光的光吸收层、配置于所述光吸收层的上方的上部电极，其特征在于，所述光吸收层与所述凹凸形状相接，并形成在所述基板上，所述基板作为下部电极发挥功能。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
