[发明专利]CIS系太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种CIS系太阳能电池，其具有在上面具有凹凸形状的基板、用于 吸收光的光吸收层、配置于所述光吸收层的上方的上部电极，

所述光吸收层与所述凹凸形状相接，并形成在所述基板上，所述基板作 为下部电极发挥功能，其特征在于，

所述基板由Mo和Ni的合金或Mo和Co的合金构成，并以Mo的浓度 随着从下面侧向与所述光吸收层相接的上面而增大的方式形成。

2.如权利要求1所述的CIS系太阳能电池，其特征在于，所述凹凸形 状由呈棱锥形状的凹部或凸部构成。

3.如权利要求2所述的CIS系太阳能电池，其特征在于，所述棱锥形 状的顶角为110°。

4.如权利要求1所述的CIS系太阳能电池，其特征在于，所述凹凸形 状的高度为所述光吸收层的厚度的一半以下。

5.如权利要求1所述的CIS系太阳能电池，其特征在于，所述基板利 用电铸法制作。

6.一种CIS系太阳能电池的制造方法，其为权利要求1所述的CIS系 太阳能电池的制造方法，包括：

在形成有所述凹凸形状的翻转形状的模型上进行电铸，在所述模型的上 面堆积由Mo和Ni的合金或Mo和Co的合金构成的基板材料的工序；

通过从形成于所述模型上面的基板上起出所述模型，制作所述基板的工 序，所述基板在上面具有所述凹凸形状，且Mo的浓度随着从下面侧向上面 而增大；

在所述基板的上面形成所述光吸收层的工序；

在所述光吸收层的上方形成上部电极的工序。