[发明专利]金属间导体无效
| 申请号： | 200880024113.8 | 申请日： | 2008-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN101689503A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 保罗·A·法勒 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示金属间导电材料，其用于形成集成电路中的互连件。在一些情况下，所述金属间导电材料可为金属间铝合金。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 导体 | ||
【主权项】：
1.一种导电线，其包含：一段具有纵向尺寸的连续金属间导电材料，所述纵向尺寸由可连接到集成电路的第一组件的第一末端和可连接到集成电路的第二组件的第二末端界定。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
