[发明专利]金属间导体

权利要求书

1.一种导电线，其包含：

一段具有纵向尺寸的连续金属间导电材料，所述纵向尺寸由可连接到集成电路的 第一组件的第一末端和可连接到集成电路的第二组件的第二末端界定。

2.根据权利要求1所述的导电线，其中金属间导电材料提供主要导电路线。

3.根据权利要求1所述的导电线，其中所述金属间导电材料包含铝合金。

4.根据权利要求3所述的导电线，其中所述铝合金包含金、钴、铜、铬、铁、铌、铪、 钯、铂、钽、钛、钒、锆或其组合。

5.根据权利要求3所述的导电线，其中所述铝合金包含金、钴、铜、铬、铁、铌或其 组合。

6.根据权利要求3所述的导电线，其中所述铝合金包含铜。

7.根据权利要求3所述的导电线，其中所述铝合金具有Al₂Cu的原子组分。

8.根据权利要求1所述的导电线，其中所述段连续的金属间导电材料是大体上均匀 的。

9.一种集成电路，其包含：

集成电路的第一组件；

集成电路的第二组件；以及

至少一个导电线，其包含一段具有纵向尺寸的连续金属间导电材料，所述纵向尺 寸由连接到所述集成电路的所述第一组件的第一末端和连接到所述集成电路的所 述第二组件的第二末端界定，其中所述金属间导电材料提供所述第一末端与所述第 二末端之间的主要导电路径。

10.根据权利要求9所述的集成电路，其中所述第一组件和所述第二组件为所述集成电 路的有源装置的部分且所述导电线是其之间的局部互连件。

11.一种半导体装置，其包含：

衬底组合件，其包含多个集成电路组件；以及

至少一个导电线，其包含一段具有纵向尺寸的连续金属间导电材料，所述纵向尺 寸由连接到第一集成电路的第一末端和连接到第二集成电路组件的第二末端界定， 其中所述金属间导电材料提供所述第一末端与所述第二末端之间的主要导电路径。

12.一种形成金属间导电线的方法，其包含：

提供具有表面的衬底组合件；

将包含第一金属的至少一个层沉积在所述表面的至少一部分上；

将包含第二金属的至少一个层沉积在所述第一金属的所述层的至少一部分上；以 及

对包含所述第一金属的所述层和包含所述第二金属的所述层进行热处理以形成 包含所述第一金属和所述第二金属的金属间化合物的层。

13.根据权利要求12所述的方法，其进一步包含将一个或一个以上开口的图案蚀刻到 所述表面中，其中将所述至少一个金属层沉积在所述图案的至少一部分中。

14.根据权利要求12所述的方法，其进一步包含：

将所述第一金属的第二层沉积在第二金属的所述层的至少一部分上；以及

将所述第二金属的第二层沉积在所述第一金属的所述第二层的至少一部分上。

15.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一金属或所述第二金属为铝。

16.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一金属或所述第二金属为铜。

17.根据权利要求12所述的方法，其进一步包含将包含第三金属的至少一个层沉积在 所述第一金属的所述层的至少一部分上或沉积在所述第二金属的所述层的至少一 部分上，且其中对所述层进行热处理包含形成包含所述第一金属、所述第二金属和 所述第三金属的金属间化合物的层。

18.一种形成金属间导电线的方法，其包含：

提供具有表面的衬底组合件；

将至少第一金属和第二金属的混合物沉积在所述衬底组合件的至少一部分上，其 中所述混合物包含处于有效用于形成金属间化合物的化学计量比例的所述第一金 属和所述第二金属；以及

对所述混合物进行热处理以形成包含所述第一金属和所述第二金属的所述金属 间化合物的层。