[发明专利]使用侧向自旋转移的低噪音磁场传感器无效
| 申请号： | 200880023901.5 | 申请日： | 2008-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN101688903A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 伯纳德·迪耶尼 | 申请（专利权）人： | 法国原子能委员会;国立科学研究中心 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 吴贵明 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种磁阻传感器，其包括：第一俘获磁化磁层(410)，被称作俘获层；和自由磁化磁层(430)，被称作敏感层，在没有外场的情况下，敏感层的磁化基本上垂直于俘获层的磁化，所述俘获层和敏感层由用于磁去耦的第一隔离层(420)隔开。磁阻传感器还包括被称作侧向耦合层的层(440)，其位于敏感层的与隔离层相对的一侧，并能够控制侧向自旋转移。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 侧向 自旋 转移 噪音 磁场 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻传感器，包括被称作俘获层的第一俘获磁化磁层(410)、和被称作敏感层的自由磁化磁层(430)，在没有外场的情况下，所述敏感层的磁化基本上垂直于俘获层的磁化，所述俘获层和敏感层由用于磁去耦的第一隔离层(420)隔开，其特征在于，所述磁阻传感器还包括：被称作侧向耦合层的层(440)，其位于所述敏感层的与所述隔离层相对的一侧上，并适于在保持自旋的同时向所述敏感层反向散射电子；以及使直流电流从所述侧向耦合层流向所述俘获层的装置。
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