[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200880022572.2 | 申请日： | 2008-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN101743616A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 下村明久;沟井达也;宫入秀和;田中幸一郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 朱海煜;王丹昕 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置的制造方法，其中可以使转置在多个地方的半导体膜之间的间隔变得很小。进行多次从接合衬底到基底衬底的半导体膜的转置。当使先转置的半导体膜和后转置的半导体膜相邻时，通过利用其端部被部分地去掉了的接合衬底来进行后转置。对用于后转置的接合衬底来说，其对应于被去掉的端部的区域在垂直于接合衬底的方向上的宽度大于先转置的半导体膜的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：将第一接合衬底接合在基底衬底上；分离所述第一接合衬底，使得将所述第一接合衬底一部分的第一半导体膜设置在所述基底衬底上；将通过部分地去掉端部而形成了凸部的第二接合衬底接合在所述基底衬底上，以使所述第二接合衬底的所述凸部以外的区域与所述第一半导体膜重叠；以及分离所述第二接合衬底，来在所述基底衬底上设置所述凸部一部分的第二半导体膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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