[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

将第一接合衬底接合在基底衬底上；

分离所述第一接合衬底，使得将所述第一接合衬底一部分的第一半 导体膜设置在所述基底衬底上；

将通过部分地去掉面向所述基底衬底侧的表面的端部而形成了凸 部的第二接合衬底接合在所述基底衬底上，以使所述第二接合衬底的 所述凸部以外的区域与所述第一半导体膜重叠；以及

分离所述第二接合衬底，来在所述基底衬底上设置所述凸部一部分 的第二半导体膜。

2.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

将第一接合衬底接合在基底衬底上；

分离所述第一接合衬底，使得将所述第一接合衬底一部分的第一半 导体膜设置在所述基底衬底上；

将通过部分地去掉面向所述基底衬底侧的表面的端部而形成了凸 部的第二接合衬底接合在所述基底衬底上，以使所述第二接合衬底的 所述凸部以外的区域与所述第一半导体膜重叠；以及

分离所述第二接合衬底，来在所述基底衬底上设置所述凸部一部分 的第二半导体膜，

其中，在垂直于所述第二接合衬底的方向上的所述凸部的宽度大于 所述第一半导体膜的厚度。

3.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

将第一接合衬底接合在基底衬底上；

分离所述第一接合衬底，使得将所述第一接合衬底一部分的第一半 导体膜设置在所述基底衬底上；

将通过部分地去掉面向所述基底衬底侧的表面的端部而形成了凸 部的第二接合衬底接合在所述基底衬底上，以使所述第二接合衬底的 所述凸部以外的区域与所述第一半导体膜重叠；

分离所述第二接合衬底，来在所述基底衬底上设置所述凸部一部分 的第二半导体膜；

至少在所述第一半导体膜和所述第二半导体膜之间形成第三半导 体膜；以及

通过利用外延生长使所述第三半导体膜结晶化。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中通过利用 羟基化或等离子体氧化来在所述第一接合衬底上形成绝缘膜，并且

所述第一接合衬底以中间隔着所述绝缘膜的方式接合在所述基底 衬底上。

5.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中通过利用 羟基化或等离子体氧化来在所述第一接合衬底上形成绝缘膜，并且

所述第一接合衬底以中间隔着所述绝缘膜的方式接合在所述基底 衬底上。

6.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中通过利用 羟基化或等离子体氧化来在所述第一接合衬底上形成绝缘膜，并且

所述第一接合衬底以中间隔着所述绝缘膜的方式接合在所述基底 衬底上。

7.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中通过利用 羟基化或等离子体氧化来在所述凸部上形成绝缘膜，并且

所述第二接合衬底以中间隔着所述绝缘膜的方式接合在所述基底 衬底上。

8.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中通过利用 羟基化或等离子体氧化来在所述凸部上形成绝缘膜，并且所述第二接 合衬底以中间隔着所述绝缘膜的方式接合在所述基底衬底上。

9.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中通过利用 羟基化或等离子体氧化来在所述凸部上形成绝缘膜，并且

所述第二接合衬底以中间隔着所述绝缘膜的方式接合在所述基底 衬底上。