[发明专利]基片处理的方法和装置有效
| 申请号： | 200880022343.0 | 申请日： | 2008-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN101720501A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 拉金德尔·德辛德萨;阿列克谢·马拉赫塔诺夫 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/302 |
| 代理公司： | 上海华晖信康知识产权代理事务所(普通合伙) 31244 | 代理人： | 樊英如 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种在等离子体处理室中处理等离子体的方法。晶片设置在夹盘的上方并被边缘环包围。该边缘环与夹盘电绝缘。本方法包括向夹盘提供第一RF电力。本方法还包括边缘环RF电压控制装置。边缘环RF电压控制装置与边缘环相耦合以向边缘环提供第二RF电力，从而导致边缘环具有边缘环电压。本方法进一步包括在等离子体处理室内生成等离子体以处理基片。在处理基片时，边缘环RF电压控制装置使边缘环电压基本上与基片的直流电压相等。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
在等离子体处理室中处理基片的方法，所述基片设置在夹盘上方且被边缘环包围，所述边缘环电绝缘于所述夹盘，包括：向所述夹盘提供第一RF电力；提供边缘环RF电压控制装置，所述边缘环RF电压控制装置与所述边缘环相连以向所述边缘环提供第二RF电力，被传送到所述边缘环的所述第二RF电力的频率为大约20KHz到大约10MHz，导致所述边缘环具有边缘环电势；和在所述等离子体处理室生成等离子体以处理所述基片，所述基片被处理的同时，所述边缘环RF电压控制装置被配置为使所述边缘环电势与所述基片的直流电势大体上相等。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
