[发明专利]基片处理的方法和装置

权利要求书

1.在等离子体处理室中处理基片的方法，所述基片设置在夹盘上 方且被边缘环包围，所述边缘环电绝缘于所述夹盘，包括：

向所述夹盘提供第一RF电力；

提供边缘环RF电压控制装置，所述边缘环RF电压控制 装置与所述边缘环相连以向所述边缘环提供第二RF电力，被 传送到所述边缘环的所述第二RF电力的频率为20KHz到10 MHz，导致所述边缘环具有边缘环电势；和

在所述等离子体处理室生成等离子体以处理所述基片， 所述基片被处理的同时，所述边缘环RF电压控制装置被配置 为使所述边缘环电势与所述基片的直流电势大体上相等。

2.权利要求1所述的方法，其中所述边缘环RF电压控制装置包 括RF过滤器装置和RF匹配装置，所述RF过滤器装置设置 在所述边缘环和RF电源之间。

3.权利要求2所述的方法，其中所述RF电源是不同于向所述夹 盘提供所述第一RF电力所采用的RF发生器的RF发生器。

4.权利要求2所述的方法，其中所述RF电源是RF发生器，所 述RF发生器也被用于向所述夹盘提供所述第一RF电力。

5.权利要求2所述的方法，其中所述RF过滤器装置被设置为衰 减不需要的谐波RF能量使其不到达所述RF电源。

6.权利要求2所述的方法，其中所述RF匹配装置被配置为使向 所述边缘环传送的RF电力最大化。

7.权利要求1所述的方法，其中被传送到所述边缘环的所述第二 RF电力的频率与所述第一RF电力的频率不同。

8.权利要求7所述的方法，其中被传送到所述夹盘的所述第一 RF电力的频率为2MHz。

9.权利要求7所述的方法，其中被传送到所述夹盘的所述第一 RF电力的频率为27MHz。

10.权利要求7所述的方法，其中被传送到所述夹盘的所述第一 RF电力的频率为60MHz。

11.权利要求1所述的方法，其中所述边缘环与所述基片是电分离 的。

12.权利要求1所述的方法，其中所述边缘环是单片单元。

13.权利要求1所述的方法，其中所述边缘环被设置为包括多个 段。

14.权利要求13所述的方法，其中所述边缘环的所述多个段的一 个段被设置为电绝缘于所述边缘环的所述多个段的相邻的段。

15.权利要求14所述的方法，其中所述边缘环的所述多个段的至 少两个段被设置为独立控制传送给所述多个段的所述至少两 个段的每一个的所述第二RF电力。

16.权利要求1所述的方法进一步包含：

生成穿过一区域的不同气流，所述区域包括所述基片和 所述边缘环，所述不同气流由多个管嘴提供；

向所述边缘环提供静电夹紧工具以独立控制所述边缘环 的温度；和

向所述边缘环提供外部直流电压控制装置以提供直流 电。

17.一种等离子体处理系统，其具有为处理基片设置的等离子体处 理室，所述基片被设置于夹盘上方且被边缘环包围，所述边缘 环电绝缘于所述夹盘，包括：

第一RF电力，其向所述夹盘提供；和

边缘环RF电压控制装置，所述边缘环RF电压控制装置 与所述边缘环耦合以向所述边缘环提供第二RF电力，向所述 边缘环传送的所述第二RF电力的频率为20KHz到10MHz， 导致所述边缘环具有边缘环电势，所述等离子体处理室被设置 为激发等离子体来处理所述基片，所述基片被处理的同时，所 述边缘环RF电压控制装置被设置为使所述边缘环电势与所述 基片的直流电势大体上相等。

18.权利要求17所述的等离子体处理系统，其中所述边缘环RF 电压控制装置包括RF过滤器装置和RF匹配装置，所述RF 过滤器装置设置在所述边缘环和所述RF电源之间。