[发明专利]磁记录介质、其制造方法及磁记录再生装置无效
| 申请号： | 200880021665.3 | 申请日： | 2008-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN101689375A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 坂口龙二;黑川刚平;佐佐木有三;小松田辰;A·K·辛格 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/65 | 分类号： | G11B5/65;G11B5/851;G11B5/66 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 段承恩;刘瑞东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及磁记录介质、其制造方法及磁记录再生装置。作为在非磁性基板上具有衬底层、基底层、中间层和至少1层垂直磁记录层的垂直磁记录介质，所述垂直磁记录层包含Co及Cr，其至少1层为由强磁性的晶粒和非磁性的氧化物的晶界构成的颗粒结构，构成该晶界的氧化物包含W氧化物。作为其他方式，使所述垂直磁记录层具有多层颗粒结构，所述多层颗粒结构具有以W氧化物为晶界的磁记录层、和形成于其上的以Cr氧化物、Si氧化物、Ta氧化物或Ti氧化物为晶界的磁记录层。该磁记录介质垂直磁性层的垂直取向性优，且具有强磁性晶粒的平均粒径极其微细的特性，高记录密度特性优。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 制造 方法 再生 装置 | ||
【主权项】：
1.一种磁记录介质，是在非磁性基板上至少具有衬底层、基底层、中间层和至少1层垂直磁记录层的垂直磁记录介质，其特征在于：所述垂直磁记录层包含Co和Cr，该垂直磁记录层的至少1层采取由强磁性的晶粒和非磁性的氧化物的晶界构成的颗粒结构，构成该晶界的氧化物包含W氧化物。
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