[发明专利]磁记录介质、其制造方法及磁记录再生装置

说明书

技术领域

本发明涉及磁记录介质、其制造方法、以及利用了该磁记录介质的磁记录再生装置。

背景技术

近年来，磁盘装置、软盘装置、磁带装置等磁记录装置的应用范围显著增大，其重要性增加，并且关于用于这些装置的磁记录介质，正在谋求其记录密度的显著提高。尤其是，MR磁头及PRML技术引入以来，面记录密度的提高进一步增加激烈度，近年来GMR磁头、TuMR磁头等也进一步引入，面记录密度以1年约100％的步伐持续增加。

如此地，关于磁记录介质今后要求达到进一步高记录密度化，为此要求达到磁记录层的高保磁度与高信噪比(S/N比)、高分辨率。在至今广泛采用的纵向磁记录方式中，因为随着线记录密度升高，磁化的转变区域的相邻的记录磁畴互相减弱彼此的磁化的自去磁作用成为支配性的，所以为了避免其而必需使磁记录层薄而提高形状磁各向异性。

另一方面，若使磁记录层的膜厚变薄，则随着用于保持磁畴的能量势垒的大小与热能的大小接近相同能级，则无法忽视由于温度的影响而弛豫所记录的磁化量的现象(热起伏现象)，此决定了线记录密度的界限。

如此之中，作为应答纵向磁记录方式的线记录密度改善的技术而在最近提出AFC(Anti Ferromagnetic Coupling，反铁磁耦合)介质，进行避免在纵向磁记录中成为问题的热磁弛豫的问题的努力。

并且，垂直磁记录技术作为用于实现更高面记录密度的有力的技术备受注目。相对于现有的纵向磁记录方式使介质朝向面内方向磁化，在垂直磁记录方式中以磁化于垂直于介质面的方向为特征。由此，能够避免在纵向磁记录方式中妨碍达到高记录密度的自去磁作用的影响，认为适于更高密度记录。并且，因为能够保持一定的磁性层膜厚，所以认为在纵向磁记录中成为问题的热磁弛豫的影响也比较少。

在垂直磁记录介质的制造中，一般在非磁性基板上按基底层、中间层、磁记录层、保护层的顺序所成膜。并且，在成膜至保护层的基础上，在表面涂敷润滑层的情况多。并且，多数情况下，称为软磁性衬底层的磁性膜设置于基底层之下。基底层、中间层以进一步提高磁记录层的特性的目的而形成。具体地，起使磁记录层的晶体(结晶)取向整齐同时对磁性晶体的形状进行控制的作用。

为了制造在高记录密度化方面具有优异特性的垂直磁记录介质，磁记录层的晶体结构和晶粒的分离、粒径的微细化很重要。在垂直磁记录介质中，虽然多数情况下该磁记录层的晶体结构取hcp结构，但是通过其(002)晶面相对于基板面为平行、如果换言之则晶体c轴即(002)轴尽量不乱地排列于垂直的方向，朝向垂直方向的信号强度增强。并且，如果磁记录层的晶粒彼此之间的分离增加、能够截断交换耦合，则能够在高密度记录再生时降低噪声。

作为磁记录层的材料，在现有中采用CoCrPt与Si氧化物、Ti氧化物等的合金靶(例如，参照专利文献1)。

在这些氧化物磁性层中，成为以非磁性的Si、Ti的氧化物晶界(晶粒边界)包围取hcp结构的CoCrPt晶粒的颗粒结构，晶体取向性与晶粒的微细化、分离可以兼顾。选择Si、Ti的氧化物作为晶界材料是因为磁性元素Co一旦氧化则失去磁性，因此选择比Co容易成为氧化物、若换言之则在氧化反应中自由能的变化量比Co大的元素(例如，参照专利文献2)。

也就是说，若采用Si氧化物、Ti氧化物则Co难以氧化，能够防止磁矩量的降低。但是，若Si氧化物、Ti氧化物存在于CoCrPt晶粒内则磁性晶体的取向性变差，并且噪声也因晶粒彼此之间的分离不充分而增加。

为了记录再生特性的进一步提高，使晶体粒径的分离、晶体粒径的微细化与垂直取向性兼顾，必需获得记录再生特性优异的垂直磁记录介质。期望解决此问题并可以容易地制造的垂直磁记录介质。

专利文献1：日本特开2004-327006号公报；

专利文献2：日本特开2006-164440号公报。

发明内容

本发明的目的在于，鉴于上述情形，通过使垂直磁记录层的晶体粒径的分离、晶体粒径的微细化与垂直取向性兼顾，提供可以进行高密度的信息的记录再生的磁记录介质。

本发明的另一目的在于提供具有上述特性的磁记录介质的制造方法。

本发明的又一目的在于提供具备具有上述特性的磁记录介质和在该磁记录介质对信息进行记录再生的磁头的磁记录再生装置。

为了达到上述的目的，本发明成为以下的构成。