[发明专利]碳纳米管成膜方法、成膜装置及碳纳米管薄膜有效
| 申请号： | 200880020917.0 | 申请日： | 2008-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN101707904A | 公开（公告）日： | 2010-05-12 |
| 发明（设计）人： | 斎藤毅 | 申请（专利权）人： | 独立行政法人产业技术总合研究所 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种可在低温下有效、且大量、廉价地制造可用作工业材料的单壁碳纳米管的薄膜的方法及装置，所述方法及装置的特征在于：利用流动气相CVD法而将原料源合成为碳纳米管，并在连结于反应管的腔室内，使合成的碳纳米管直接附着于基板上而在基板上成膜。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 管成膜 方法 装置 薄膜 | ||
【主权项】：
一种碳纳米管成膜方法，其特征在于：利用流动气相化学气相沉积法将原料源合成为碳纳米管，并在连结于反应管的腔室内，使合成的所述碳纳米管直接附着于基板上而在所述基板上成膜。
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