[发明专利]碳纳米管成膜方法、成膜装置及碳纳米管薄膜有效
| 申请号: | 200880020917.0 | 申请日: | 2008-07-01 |
| 公开(公告)号: | CN101707904A | 公开(公告)日: | 2010-05-12 |
| 发明(设计)人: | 斎藤毅 | 申请(专利权)人: | 独立行政法人产业技术总合研究所 |
| 主分类号: | C01B31/02 | 分类号: | C01B31/02 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 纳米 管成膜 方法 装置 薄膜 | ||
1.一种碳纳米管成膜方法,其特征在于:利用流动气相化学气相沉 积法而将原料源合成为碳纳米管,在连结于反应管的腔室内,在200℃以 下使合成的所述碳纳米管直接附着于元件用基板上,从而在所述元件用基 板上直接成膜。
2.一种碳纳米管成膜装置,其特征在于:连结于利用流动气相化学 气相沉积法而将原料源合成为碳纳米管的反应管而设置着腔室,在腔室内 在200℃以下使所述碳纳米管直接附着于元件用基板上。
3.一种碳纳米管薄膜,其特征在于:利用流动气相化学气相沉积法而将 原料源合成为碳纳米管,在连结于反应管的腔室内,在200℃以下使合成的 所述碳纳米管直接附着于元件用基板上,从而在所述元件用基板上直接成膜。
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